Hochgeschwindigkeits- und hochpräziser ultradünner Die-Bonder für fortschrittliche Halbleitergehäuse

HY-DP200 Chipbondmaschine Das System bietet einen Durchsatz von 6.000 Einheiten pro Stunde (UPH) für Epoxid- und 3.500 UPH für DAF-Bonding mit einer Bondgenauigkeit von ±10 µm (X/Y) und ±0,1° (θ) sowie einer Epoxid-Bondgenauigkeit von ±20 µm (X/Y) und ±1,0° (θ). Es verarbeitet Chipgrößen von 0,5 mm bis 20 mm, 8"- und 12"-Wafer mit automatischer Theta-Ausrichtung und automatischer Erweiterung und unterstützt Substrate mit einer Länge von bis zu 300 mm. Ausgestattet mit einer 5-Megapixel-Kamera (2048 × 2048 Pixel) und 256-stufiger Graustufenmustererkennung erreicht es eine Positionsgenauigkeit von ±4 Pixeln und eine Winkelgenauigkeit von ±0,01° in einem Sichtfeld von 20 × 20 mm. Der Bondkopf bietet eine Bondkraft von 0,5 N bis 30 N (optional) mit automatischer Wägezellenkalibrierung, Vor- und Nachprüfung per Sichtprüfung sowie automatischer Z-Ebenenkalibrierung. Er arbeitet mit Wechselstrom 200–240 V ±10 % einphasig, 50/60 Hz und hat eine Leistungsaufnahme von ca. 2,2 kW. Er benötigt Druckluft mit einem Druck von über 5 kgf/cm² und ein Vakuum unter -750 mmHg. Mit Abmessungen von 2200 mm × 1460 mm × 1800 mm (mit FFU) und einem Gewicht von ca. 2300 kg bietet der HY-DP200 hohe Zuverlässigkeit mit einer mittleren Betriebsdauer zwischen Ausfällen (MTBA) von 120 Minuten und einer mittleren Betriebsdauer zwischen Ausfällen (MTBF) von 168 Stunden in Reinraumklasse 1000. Damit ist er die ideale Lösung für die präzise Werkzeugmontage in der Serienfertigung.

Wichtigste technische Spezifikationen

Spezifikationen der HY-DP200-Serie
Systemproduktivität	UPH
	DAF: 3,5K UPH, Epoxid: 6K UPH
Anwendungspaket		IC, LSI, BGA, CSP, QFN, NAND-Flash, Mobile DRAM, eMMC, SiP, Small Die
Systemfähigkeit	Genauigkeit der Epoxidharz-Verbindung	X/Y: ±20 µm, θ: ±1.0°
	Genauigkeit der Bürgschaft	X/Y: ±10 µm, θ: ±0,1°
	MTBA	120 Minuten
	MTBF	168 Stunden
	Saubere Klasse	Klasse 1000
	Kontrolle	PC-basiert
	Bond-Methode	Epoxidpaste & DAF
Materialhandhabungsfähigkeit	Werkzeuggröße	0,5 - 20 mm
	Substrat	Länge: 100–300 mm; Breite: 50–100 mm
	Magazin	Länge: 110–320 mm; Breite: 40–110 mm; Höhe: 100–190 mm
Wafersystem	Waferhandhabung	8", 12"
	Automatische Theta-Ausrichtung	360° Drehung
	Automatisch erweiternd	10 mm
Bond-Chef	Bond Force	0,5 - 5N ±15 %, 5 - 30N ±5 % (bis zu 30 N: optional)
	Bondkopfachse	XYZ-Theta-Achse (Einzeln)
Mess- und Inspektionssystem	Merkmale	Automatische Kalibrierung der Rückkopplung der Wägezelle, automatische Kalibrierung der Z-Ebene vor/nach der Sichtprüfung
Mustererkennungssystem	PR-System	256 Graustufen
	Kamera	5-Mega-Vision-Kamera (2048 × 2048)
	Sichtfeld	20 × 20 mm
	Positionsgenauigkeit	±4 Pixel
	Winkelgenauigkeit	±0,01°
Elektrische Parameter	Stromspannung	Wechselstrom 200–240 V ±10%
	Frequenz	Einphasig 50/60 Hz
	Druckluft	Über 5 kgf/cm²
	Vakuum	unter -750 mmHg
	Stromverbrauch	Ca. 2,2 kW
Größe/Gewicht (Schätzung)	Abmessungen (B) × D × H)	2200 × 1460 × 1800 mm (mit FFU 115H)
	Nettogewicht	ca. 2300 kg

Produktdetails