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Die HY-WT9730 unterstützt Wafer bis zu 12 Zoll. Ausgestattet mit 3 luftgelagerten Schleifspindeln und 4 luftgelagerten Werkstückspindeln, integriert sie Schrupp-, Fein- und Polierprozesse.
Der vollständig robotergestützte Workflow übernimmt automatisch Wafertransfer, -bearbeitung, -reinigung und -entnahme; lediglich die manuelle Kassettenzuführung ist erforderlich. Der hochpräzise Z-Achsen-Vorschub sorgt für überragende Wafer-Planheit und beschädigungsfreies Spiegelpolieren, während der robuste Rahmen eine stabile Serienproduktion gewährleistet.
Marke :
HYRNUSArtikelnummer :
HY-WT9730Bestellung (Mindestbestellmenge) :
1 SetGarantie :
One-Year Warranty and Lifetime MaintenanceZahlung :
T/TLieferzeit :
7-35 DaysProduktursprung :
ChinaVollautomatische Wafer-Schleif- und Poliermaschine für die Halbleiterverpackung
Produkteinführung
HY-WT9730 vollautomatische Wafer-Schleif- und Poliermaschine Unterstützt Wafer bis zu 12 Zoll (Ø300 mm). Es führt Schleif- und Spiegelpolierverfahren für alle harten, spröden und ultraharten Materialien durch, um die Rückseite der Wafer zu verdünnen.
Ausgestattet mit drei luftgelagerten Schleifspindeln und vier unabhängigen luftgelagerten Werkstückspindeln, integriert die Maschine Schrupp-, Fein- und Spiegelpolierprozesse. Ihr vollautomatisches Robotersystem übernimmt die Waferpositionierung, das Schleifen, Polieren, Waschen und Trocknen. Lediglich das manuelle Einlegen der Kassetten reduziert den manuellen Arbeitsaufwand und verhindert Kratzer und Absplitterungen am Wafer. Dank des hochpräzisen Z-Achsen-Vorschubs mit einer minimalen Schrittweite von 0,1 µm erzielt sie überragende Planheit, geringe TTV-Werte und eine ultra-glatte Spiegeloberfläche mit Ra < 5 nm. Der robuste, korrosionsbeständige Rahmen gewährleistet eine gleichbleibende Bearbeitungsgenauigkeit auch bei langfristiger Halbleiter-Massenproduktion.
Produktanwendung
Diese Maschine dient zum Schleifen und Polieren von harten und spröden Materialien sowie elektronischen Bauteilen. Zu den kompatiblen Substraten bis zu 12 Zoll gehören Silizium (Si), Siliziumkarbid (SiC), Halbleiterverbindungen, Epoxidharz, Keramik, Saphir sowie die extrem harten und schwer zu schleifenden Kristalle LT und LN.
Es ermöglicht die Rückseitenverdünnung von Siliziumwafern für ICs, diskrete Bauelemente und LEDs und findet breite Anwendung in der Halbleiter- und optoelektronischen Präzisionsfertigung.
Maschinenstrukturdiagramm
Maschinenbetriebsprozess
| Schritt | Arbeitsschritte |
| 1 | Die Waferkassette manuell in das Gerät einlegen. |
| 2 | Der Roboterarm entnimmt die Wafer aus der Kassette und transportiert sie zur Zentrierung auf den Positioniertisch. |
| 3 | Der T1-Arm nimmt die Scheibe auf und platziert sie auf dem Werkstückspanntisch. |
| 4 | Grobschleifverfahren |
| 5 | Feinmahlverfahren |
| 6 | Spiegelpolierverfahren |
| 7 | Der T2-Arm nimmt den bearbeiteten Wafer auf und leitet ihn zum Waschen und Trocknen an die Rotationsreinigungsstation weiter. |
| 8 | Der Wafer kann zur Filmmontagemaschine transportiert werden, oder der Roboterarm führt gereinigte Wafer zur Kassette zurück, und der gesamte Prozess wiederholt sich. |
Spezifikationen
| NEIN. | Artikel | Parameter |
| 1 | Gesamtabmessungen | 1690*3544*1951 mm |
| 2 | Werkstückgröße | Maximale Bearbeitungsgröße: Ø300 mm |
| 3 | Schleifscheiben-Luftlagerspindel | Menge: 3 |
| Spindelleistung: 9,5 kW | ||
| Spindeldrehzahl: 800–4000 U/min | ||
| 4 | Werkstück-Luftlagerspindel | Menge: 4 |
| Spindeldrehzahl: 50–300 U/min | ||
| 5 | Schleifen und Polieren der Z-Achse | Hubbereich: 120 mm |
| Vorschubgeschwindigkeit beim Schleifen: 0,0001~0,08 mm/s | ||
| Minimaler Vorschubschritt: 0,1 μm | ||
| 6 | Klemmverfahren | Poröser Vakuumspannfutter |
| 7 | Nachbearbeitung TTV | 2,5 μm |
| 8 | Wafer-zu-Wafer-Dickenvariation nach der Verarbeitung | ±2,5 μm |
| 9 | Nachbearbeitung der Oberflächenrauheit | Ra＜5 nm |
Hauptrahmen
| NEIN. | Artikel | Details |
| 1 | Rahmen | Unterer Rahmen: 50Geschweißte Stütze aus 100-mm-Vierkantrohr (Standardausführung) |
| Oberrahmen: 3060 Aluminiumprofil | ||
| 2 | Abdeckplatte | Kaltgewalztes Stahlblech mit kunststoffbesprühter Oberfläche (Standardausführung) |
| 3 | Strukturelle Bauteile | 45# Stahl mit verchromter Oberfläche und eloxierter Aluminiumlegierung |
| 4 | Stromversorgung | Dreiphasig 380 V, 50 Hz |
| 5 | Luftquelle | ≥0,5 MPa, 400 l/min |
Produktdetails
Die HY-WT9330 ist mit einer luftgelagerten Schleifspindel und zwei luftgelagerten Werkstückspindeln ausgestattet. Sie kann verschiedene ultraharte, spröde und schwer zu schleifende Substrate bis zu 12 Zoll bearbeiten und ermöglicht so ein hocheffizientes, beschädigungsfreies und hochpräzises Spiegelschleifen mit herausragender Dickengenauigkeit. Sie eignet sich für das Rückseiten-Dünnschleifen aller Arten von Chipwafern.
Die HY-WT9530 ist mit zwei luftgelagerten Spindeln und drei Vakuumspanntischen für harte, spröde Substrate bis zu 8 Zoll ausgestattet. Die Bediener müssen lediglich die Kassetten manuell einlegen; die Maschine führt vollautomatische Zyklen durch, die das Grob- und Feinschleifen, Reinigen und die Rückgewinnung umfassen. Die nach dem Schleifen erzielte TTV ≤ 1,5 μm mit exzellenter Ebenheit und Oberflächenrauheit eignet sich für die Rückseitenverdünnung verschiedener Halbleiterwafer.
Die HY-WT9230 wurde für die Bearbeitung extrem harter, spröder Halbleitermaterialien bis zu einer Größe von 12 Zoll entwickelt. Ausgestattet mit zwei luftgelagerten Spindeln und einer hochpräzisen Z-Schleifachse ermöglicht sie vollautomatisches Spiegeldünnen mit hoher Effizienz und beschädigungsfreier Bearbeitung. Dank des porösen Vakuumfutters und der ultrafeinen Vorschubsteuerung gewährleistet die Maschine eine hervorragende Planheit und gleichmäßige Schichtdicke beim Dünnen von Halbleiterwafern.
Die HY-IS1000 ist eine Zwei-Stationen-Laserschneid- und Schleifanlage für SiC-Ingots, die Lasermodifikation und Wafer-Delaminierung kombiniert. Sie nutzt einen Ultrakurzpulslaser zur Erzeugung interner Modifikationsschichten in SiC-Ingots für ein sägespurenfreies Wafer-Splitten und erzielt einen hohen Durchsatz mit einer TTV ≤ 1,1 μm. Sie ist eine unverzichtbare Anlage für die Massenproduktion von Halbleitersubstraten der dritten Generation.
HY-SP855 einseitiger Kupferpolierer Diese Maschine eignet sich für präzises Läppen und Polieren von harten, spröden Halbleitermaterialien. Sie verfügt über eine SPS-Touch-Steuerung und einen integrierten Scheibenkonditionierer mit Frequenzumrichter, geschlossener Druckregelung und Wasserkühlung der Platten. Die Planheit der konditionierten Platten erreicht 0,01 mm und gewährleistet so eine stabile und gleichmäßige Bearbeitung für die hochpräzise Substrat-Massenproduktion.
HY-WC615 doppelseitige Wafer-Fasenmaschine ist ausgestattet mit CCD-Vision-Positionierungs- und Online-Dickenmessmodulen, selbstentwickelten mechanischen Kernkomponenten und einem vollautomatischen Be- und Entladesystem und bietet so eine hervorragende Bearbeitungsgenauigkeit und benutzerfreundliche Touch-Bedienung für die Wafer-Fasenbearbeitung.
Die HY-ST3005 eignet sich für die hochpräzise Rückseitenverdünnung von harten, spröden Halbleitersubstraten mit einem Durchmesser von 4 bis 12 Zoll. Die Anlage wurde iterativ verbessert, um höchste Genauigkeit und Langzeitstabilität zu gewährleisten. Sie verfügt über hochwertige Kernbaugruppen (hydrostatische Luftlager-Schleifspindel, hochpräzise Waferspindel, hochsteifer Drehtisch mit großem Durchmesser) und einen hohen Automatisierungsgrad für die Massenproduktion von Silizium- und Verbindungshalbleiterwafern.
Die HY-ST3002 verarbeitet 4- bis 12-Zoll-Wafer für das präzise Dünnen und Schleifen harter, spröder Halbleiter. Dank umfassender Modernisierung und ausgereifter Prozesse zeichnet sie sich durch erhöhte Genauigkeit und stabile Langzeitleistung aus. Dazu tragen die optimierte automatische Dünnarchitektur und hochwertige Schlüsselkomponenten bei: hydrostatische, luftgelagerte Schleifspindel, hydrostatische, luftgelagerte Wafer-Haltespindel und ein hochsteifer Drehtisch mit großem Durchmesser.
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