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SiC-Ingot-Laser-Stealth-Schneid- und Schleifmaschine für 6/8/12-Zoll-Wafer

Die HY-IS1000 ist eine Zwei-Stationen-Laserschneid- und Schleifanlage für SiC-Ingots, die Lasermodifikation und Wafer-Delaminierung kombiniert. Sie nutzt einen Ultrakurzpulslaser zur Erzeugung interner Modifikationsschichten in SiC-Ingots für ein sägespurenfreies Wafer-Splitten und erzielt einen hohen Durchsatz mit einer TTV ≤ 1,1 μm. Sie ist eine unverzichtbare Anlage für die Massenproduktion von Halbleitersubstraten der dritten Generation.

  • Marke :

    HYRNUS
  • Artikelnummer :

    HY-IS1000
  • Bestellung (Mindestbestellmenge) :

    1 Set
  • Garantie :

    One-Year Warranty and Lifetime Maintenance
  • Zahlung :

    T/T
  • Lieferzeit :

    7-35 Days
  • Produktursprung :

    China
  • SiC-Ingot-Laser-Stealth-Schneid- und Schleifmaschine für 6/8/12-Zoll-Wafer

     

    Produkteinführung

    HY-IS1000 SiC-Ingot-Laser-Stealth-Schneid- und Schleifmaschine Diese Zwei-Stationen-Anlage zum Laserschneiden und -schleifen von SiC-Ingots integriert eine Lasermodifikationsstation und eine Wafer-Delaminierungsstation. An der Lasermodifikationsstation wird ein Ultrakurzpulslaser mit waferangepasster Transmissionswellenlänge mittels eines hochpräzisen optischen Systems auf eine definierte Tiefe des Ingots fokussiert. Dies löst Mehrphotonenabsorption aus, bricht chemische Bindungen im Material und erzeugt eine modifizierte Schicht mit Zonen hoher Versetzungsdichte. Nach der Modifizierung führt die Wafer-Delaminierungsstation die Delaminierung entlang vordefinierter Kristallbruchflächen durch, um eine sägespurenfreie Trennung des Wafers vom Ingot zu gewährleisten. Mit hoher Bearbeitungseffizienz (Bearbeitung eines einzelnen 8-Zoll-Wafers innerhalb von 25 Minuten) und einer Oberflächenrauheit (TTV) von maximal 1,1 μm ist diese Maschine ein wichtiger Bestandteil der Massenproduktion von Halbleitersubstraten der dritten Generation.

     

    Maschinenstrukturdiagramm

     

    Wafer Laser Cutting

     

    Maschinenbetriebsprozess

     

    NEIN.Arbeitsschritte
    1SiC-Barren an der Verladestation platzieren
    2Barrenmessung durchführen
    3Transfer des Barrens zur Laserbearbeitungsplattform
    4Lasermodifikationsbearbeitung
    5Ein Roboterarm hebt den Barren auf.
    6Sekundäre Barrenmessung durchführen
    7Der Transfermechanismus absorbiert den Block.
    8Transfer zur Delaminierungsplattform zur Wafertrennung
    9Überführen Sie den Barren zur Wendestation für die Reinigung der Unterseite.
    10Den Barren zur Reinigungsstation bringen, um die Oberfläche zu reinigen und zu schleudern.
    11Platzieren Sie den Barren an der Entladestation.
    12Die abgetrennten Wafer zur Wendestation für die Reinigung der Unterseite weiterleiten.
    13Die Wafer zur Reinigungsstation für die Oberflächenreinigung und das Schleudern bringen
    14Legen Sie die Waffel an die Entladestation.

     

    Spezifikationen

    1. Inspektionsstandards

    ParameterX-AchseY-AchseZ-AchseMessgerät
    Geradheit1 μm/100 mm1 μm/100 mmAutokollimator
    Ebenheit1 μm/210 mm1 μm/210 mmAutokollimator
    Orthogonalität5 μm @ XY-AchsenKeramik-Winkellineal
    Wiederholbarkeit±1 μm±2 μm±1 μmLaserinterferometer
    Positionsgenauigkeit±2 μm±3 μm±2 μmLaserinterferometer
    Tragfähigkeit5 kgX+5 kg10 kgStandardgewichte

     

    2. Vorteile und Merkmale

    ParameterSpezifikation
    BarrendurchmesserKompatibel mit 6/8/12-Zoll-Geräten
    Blockdicke≤50 mm (anpassbar)
    SchnittdickeUnterstützt Standarddicken von 150/700 μm (anpassbar)
    Durchsatz einer einzelnen LeitungUPH ≥ 3
    Genauigkeit beim LaserschneidenWiederholgenauigkeit ≤ ±1 μm, Positioniergenauigkeit ≤ ±2 μm
    Getrennte Waferdicke≤500 μm

     

    3. Genauigkeitsspezifikationen

    AbschnittsnameParameterelementX-AchseY-AchseZ-AchseSpezifikation
    Modifikationsstation – Mechanische geometrische GenauigkeitGeradheit1 μm/100 mm1 μm/100 mm
    Ebenheit1 μm/210 mm1 μm/210 mm
    Orthogonalität5 μm @ XY-Achsen
    Modifikationsstation – Statische LeistungWiederholbarkeit±1 μm±2 μm±1 μm
    Positionsgenauigkeit±2 μm±3 μm±2 μm
    Tragfähigkeit5 kgX+5 kg10 kg
    Trennstation – ServomodulAchsenwiederholgenauigkeit≤ ±0,02 mm
    Trennstation – KugelgewindetriebAchsenwiederholgenauigkeit≤ ±0,02 mm
    Trennstation – Genauigkeit beim Bestücken und PlatzierenXY-Positionsgenauigkeit±0,02 mm
    Winkelgenauigkeit±0,1°
     

    Hauptrahmen

     

    KategorieKomponenten & Spezifikationen
    Umfang der ModifikationsstationGranitsockel, Linearmotor mit Luftlager (Y-Achse), Linearmotor mit Luftlager (X-Achse), Servomotor (Z-Achse), Servomotor (Transferachse), Achsenantriebssteuerung, Transportverpackung und Versicherung
    Anwendungsbereich der Trennstation1. Rahmen
    Ober-/Unterrahmen: Geschweißter Rahmenkörper + Blechverkleidung
    2. Abdeckplatten
    Deckplatte: Kaltgewalztes Stahlblech mit kunststoffbeschichteter Oberfläche (Standardausführung)
    Bodenabdeckung: Kaltgewalztes Stahlblech mit kunststoffbeschichteter Oberfläche (Standardausführung)
    3. Strukturteile
    45# Stahl mit Chrombeschichtung & Aluminiumlegierung mit anodischer Oxidation
    4. Stromversorgung
    Einphasig 220 V, 80 A
    5. Luftquelle
    ≥0,5 MPa, 150 l/min

     

    Produktdetails

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    Ingot Laser Slicing and Grinding Equipment

       

       

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