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HY-WC615 doppelseitige Wafer-Fasenmaschine ist ausgestattet mit CCD-Vision-Positionierungs- und Online-Dickenmessmodulen, selbstentwickelten mechanischen Kernkomponenten und einem vollautomatischen Be- und Entladesystem und bietet so eine hervorragende Bearbeitungsgenauigkeit und benutzerfreundliche Touch-Bedienung für die Wafer-Fasenbearbeitung.
Marke :
HYRNUSArtikelnummer :
HY-WC615Bestellung (Mindestbestellmenge) :
1 SetGarantie :
One-Year Warranty and Lifetime MaintenanceZahlung :
T/TLieferzeit :
7-35 DaysProduktursprung :
ChinaVollautomatische, hochpräzise doppelseitige Wafer-Anfasmaschine für 4/6/8-Zoll-Siliziumwafer
Produkteinführung
HY-WC615 vollautomatische, hochpräzise doppelseitige Wafer-Fasenmaschine Die Maschine unterstützt das beidseitige Anfasen von 4/6/8-Zoll-Siliziumwafern mit einer Dicke von 0,4–1,5 mm. Sie speichert mehrstufige Programme für umschaltbares Schrupp- und Schlichtanfasen, um unterschiedlichen Prozessanforderungen gerecht zu werden. Ausgestattet mit CCD-Bildverarbeitungspositionierung und Online-Dickenmessmodulen, verfügt die Maschine über selbstentwickelte Kernspindeln und Detektionssysteme sowie automatische Be- und Entladestationen und eine Ausschussauswurfstation. Dank des intuitiven Touchscreen-LCD-Panels wird eine gleichbleibende Bearbeitungsgenauigkeit beim präzisen Anfasen von Halbleiterwafern gewährleistet.
Produktvorteile
1. Die Wafer-Faseneinheit arbeitet nach dem Prinzip des Seitenvorschubschleifens und ist mit der Fasenbearbeitung von Wafern mit den Durchmessern Ø4'' / Ø6'' / Ø8'' (Φ100~Φ200) kompatibel.
2. Ausgestattet mit einer präzisen Online-Dickenmesseinheit und einem CCD-Vision-Modul misst die Maschine die Waferdicke und lokalisiert präzise den Wafermittelpunkt, um den Fasenwinkel während der Bearbeitung genau zu steuern.
3. Nach der Bearbeitung werden automatisch mehrere Schlüsselparameter überprüft, darunter Waferdurchmesser, Rundheit, Versatz der geraden Kante zur Mitte und Abmessung der Fasenkante, um eine gleichbleibende Bearbeitungsgenauigkeit zu gewährleisten.
4. Verfügt über mehrstufige Fasenprogramme sowie Funktionen zum Grob- und Feinschleifen von Fasen, die den unterschiedlichen Prozessanforderungen der Waferbearbeitung gerecht werden.
5. Die Kernschleifspindel, die Wafer-Haltespindel, das Bildpositionierungssystem und das Dickenmesssystem wurden alle von unserem Unternehmen unabhängig erforscht, entwickelt und hergestellt.
6. Mit einer vollautomatischen Be- und Entladestation sowie einer Auswurfstation für fehlerhafte Produkte unterstützt sie die beidseitige Fasenbearbeitung von Wafern mit einer Dicke von 0,4 mm bis 1,5 mm.
7. Ausgestattet mit einem Touchscreen-LCD-Monitor für mehr Bedienkomfort. Der Bildschirm zeigt synchron den Verarbeitungs- und Gerätestatus an, und die Bediener können alle Vorgänge einfach per Fingertipp auf dem Bildschirm ausführen.
Technischer Parameter
| Parametername | Einheit | HY-WC615 | |
| Wafergröße | in | Kompatibel mit Ø4"/Ø6" | |
| Schleifverfahren | - | Wafer-Rotationszuführungsschleifen | |
| Raddurchmesser | mm | Ø205 Diamantschleifscheibe | |
| Spindel | Nennleistung | KW | 1 |
| Nenngeschwindigkeitsbereich | Drehzahl | 500–3000 | |
| Kerbspindel | Nennleistung | KW | - |
| Nenngeschwindigkeitsbereich | Drehzahl | - | |
| Genauigkeit der Produkt- und Schleiftischpositionierung | um | ±4 | |
| Wiederholbarkeit der Dickenmessung | um | ±2 | |
| Schleifgenauigkeit | Genauigkeit der Durchmesserregelung | um | 15 |
| Kontrollierbarkeit der Wafer-Rundheit | um | ＜10 | |
| Genauigkeit der Fasenbreite | um | ＜20 | |
| Fähigkeit zur Winkelkontrolle von flachen/sekundär flachen Kanten | Grad | ±0,05 | |
| Geräteabmessungen (B × T × H) | mm | 2000×1150×1950 | |
| Gerätegewicht | KG | Ca. 1000 | |
Produktdetails
Die HY-WT9330 ist mit einer luftgelagerten Schleifspindel und zwei luftgelagerten Werkstückspindeln ausgestattet. Sie kann verschiedene ultraharte, spröde und schwer zu schleifende Substrate bis zu 12 Zoll bearbeiten und ermöglicht so ein hocheffizientes, beschädigungsfreies und hochpräzises Spiegelschleifen mit herausragender Dickengenauigkeit. Sie eignet sich für das Rückseiten-Dünnschleifen aller Arten von Chipwafern.
Die HY-WT9530 ist mit zwei luftgelagerten Spindeln und drei Vakuumspanntischen für harte, spröde Substrate bis zu 8 Zoll ausgestattet. Die Bediener müssen lediglich die Kassetten manuell einlegen; die Maschine führt vollautomatische Zyklen durch, die das Grob- und Feinschleifen, Reinigen und die Rückgewinnung umfassen. Die nach dem Schleifen erzielte TTV ≤ 1,5 μm mit exzellenter Ebenheit und Oberflächenrauheit eignet sich für die Rückseitenverdünnung verschiedener Halbleiterwafer.
Die HY-WT9730 unterstützt Wafer bis zu 12 Zoll. Ausgestattet mit 3 luftgelagerten Schleifspindeln und 4 luftgelagerten Werkstückspindeln, integriert sie Schrupp-, Fein- und Polierprozesse. Der vollständig robotergestützte Workflow übernimmt automatisch Wafertransfer, -bearbeitung, -reinigung und -entnahme; lediglich die manuelle Kassettenzuführung ist erforderlich. Der hochpräzise Z-Achsen-Vorschub sorgt für überragende Wafer-Planheit und beschädigungsfreies Spiegelpolieren, während der robuste Rahmen eine stabile Serienproduktion gewährleistet.
Die HY-WT9230 wurde für die Bearbeitung extrem harter, spröder Halbleitermaterialien bis zu einer Größe von 12 Zoll entwickelt. Ausgestattet mit zwei luftgelagerten Spindeln und einer hochpräzisen Z-Schleifachse ermöglicht sie vollautomatisches Spiegeldünnen mit hoher Effizienz und beschädigungsfreier Bearbeitung. Dank des porösen Vakuumfutters und der ultrafeinen Vorschubsteuerung gewährleistet die Maschine eine hervorragende Planheit und gleichmäßige Schichtdicke beim Dünnen von Halbleiterwafern.
Die HY-IS1000 ist eine Zwei-Stationen-Laserschneid- und Schleifanlage für SiC-Ingots, die Lasermodifikation und Wafer-Delaminierung kombiniert. Sie nutzt einen Ultrakurzpulslaser zur Erzeugung interner Modifikationsschichten in SiC-Ingots für ein sägespurenfreies Wafer-Splitten und erzielt einen hohen Durchsatz mit einer TTV ≤ 1,1 μm. Sie ist eine unverzichtbare Anlage für die Massenproduktion von Halbleitersubstraten der dritten Generation.
Die HY-ST3005 eignet sich für die hochpräzise Rückseitenverdünnung von harten, spröden Halbleitersubstraten mit einem Durchmesser von 4 bis 12 Zoll. Die Anlage wurde iterativ verbessert, um höchste Genauigkeit und Langzeitstabilität zu gewährleisten. Sie verfügt über hochwertige Kernbaugruppen (hydrostatische Luftlager-Schleifspindel, hochpräzise Waferspindel, hochsteifer Drehtisch mit großem Durchmesser) und einen hohen Automatisierungsgrad für die Massenproduktion von Silizium- und Verbindungshalbleiterwafern.
Die HY-ST3002 verarbeitet 4- bis 12-Zoll-Wafer für das präzise Dünnen und Schleifen harter, spröder Halbleiter. Dank umfassender Modernisierung und ausgereifter Prozesse zeichnet sie sich durch erhöhte Genauigkeit und stabile Langzeitleistung aus. Dazu tragen die optimierte automatische Dünnarchitektur und hochwertige Schlüsselkomponenten bei: hydrostatische, luftgelagerte Schleifspindel, hydrostatische, luftgelagerte Wafer-Haltespindel und ein hochsteifer Drehtisch mit großem Durchmesser.
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