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Die HY-WT9230 wurde für die Bearbeitung extrem harter, spröder Halbleitermaterialien bis zu einer Größe von 12 Zoll entwickelt. Ausgestattet mit zwei luftgelagerten Spindeln und einer hochpräzisen Z-Schleifachse ermöglicht sie vollautomatisches Spiegeldünnen mit hoher Effizienz und beschädigungsfreier Bearbeitung. Dank des porösen Vakuumfutters und der ultrafeinen Vorschubsteuerung gewährleistet die Maschine eine hervorragende Planheit und gleichmäßige Schichtdicke beim Dünnen von Halbleiterwafern.
Marke :
HYRNUSArtikelnummer :
HY-WT9230Bestellung (Mindestbestellmenge) :
1 SetGarantie :
One-Year Warranty and Lifetime MaintenanceZahlung :
T/TLieferzeit :
7-35 DaysProduktursprung :
ChinaWafer-Dünnungsmaschine für harte und spröde Halbleitermaterialien
Produkteinführung
HY-WT9230 Wafer-DünnungsmaschineSie eignet sich für diverse ultraharte, spröde Halbleitermaterialien mit Durchmessern bis zu 12 Zoll. Ausgestattet mit zwei luftgelagerten Spindeln und einer hochpräzisen Schleif-Z-Achse, ermöglicht sie vollautomatisches Spiegeldünnschleifen mit hoher Effizienz, ohne Werkstückbeschädigung und mit exzellenter Dickengleichmäßigkeit.
Die Maschine verwendet einen porösen Keramik-Vakuumspannfutter zur stabilen Waferaufnahme. Sie erreicht einen minimalen Vorschub von 0,1 μm, eine TTV nach dem Schleifen von weniger als 3,0 μm und eine Oberflächenrauheit Ra < 10 nm nach dem Feinschleifen mit einer Schleifscheibe der Körnung 8000.
Maschinenstrukturdiagramm
Maschinenbetriebsprozess
| Schritt | Arbeitsschritte |
| 1 | Legen Sie die Scheibe manuell auf den Keramik-Chuck zur automatischen Adsorption. |
| 2 | Der Transfermechanismus treibt die Werkstückspindel zur Schleifstation. |
| 3 | Die Schleifvorrichtung schleift den Wafer automatisch auf die erforderliche Dicke ab. |
| 4 | Der Transfermechanismus transportiert den Bodenwafer zur Be- und Entladestation. |
| 5 | Den bearbeiteten Wafer manuell entnehmen. |
Spezifikationen
| Artikel | Parameter |
| Werkstückgrößenbereich | Maximal verarbeitbare Größe: Ø300 mm |
| Schleifscheibe Luftgelagerte Spindel | Menge: 1 |
| Spindelleistung: 11,0 kW | |
| Spindeldrehzahl: 1000–4000 U/min | |
| Werkstück-Luftlagerspindel | Menge: 1 |
| Spindeldrehzahl: 10–300 U/min | |
| Schleifen der Z-Achse | Hub: 120 mm |
| Vorschubgeschwindigkeit beim Schleifen: 0,0001~0,08 mm/s | |
| Minimaler Vorschubschritt: 0,1 μm | |
| Klemmverfahren | Poröser Vakuumspanner |
| TTV nach dem Schleifen | ＜3,0 μm |
| Abweichung der Waferdicke nach dem Schleifen | ±3μm |
| Oberflächenrauheit nach dem Feinschleifen | Ra＜10 nm (Schleifscheibe Nr. 8000) |
Hauptrahmen
| NEIN. | Artikel | Spezifikation |
| 1 | Rahmen | Unterrahmen: Gusseisen (Standardausführung) |
| Oberrahmen: 30×60 Aluminiumprofil | ||
| 2 | Abdeckplatte | Kaltgewalztes Stahlblech mit RAL9003-Kunststoffbeschichtung auf der Oberfläche (Standardausführung) |
| 3 | Strukturteile | 45# Stahl mit verchromter Oberfläche, eloxierte Aluminiumlegierung und Edelstahl |
| 4 | Stromversorgung | Dreiphasig 380 V, 50 Hz |
| 5 | Luftquelle | ≥0,5 MPa (Schwankung) ＜0,03 MPa), 150 l/min |
| 6 | Wasserquelle | Druck: 0,2–0,3 MPa |
| Durchflussrate: ＞20 l/min | ||
| Temperatur: Umgebungstemperatur +2℃ (Schwankung ±1℃) | ||
| 7 | Stromverbrauch | Aufwärmen: 4 kW; Mahlen: 8 kW |
Produktdetails
Die HY-WT9330 ist mit einer luftgelagerten Schleifspindel und zwei luftgelagerten Werkstückspindeln ausgestattet. Sie kann verschiedene ultraharte, spröde und schwer zu schleifende Substrate bis zu 12 Zoll bearbeiten und ermöglicht so ein hocheffizientes, beschädigungsfreies und hochpräzises Spiegelschleifen mit herausragender Dickengenauigkeit. Sie eignet sich für das Rückseiten-Dünnschleifen aller Arten von Chipwafern.
Die HY-WT9530 ist mit zwei luftgelagerten Spindeln und drei Vakuumspanntischen für harte, spröde Substrate bis zu 8 Zoll ausgestattet. Die Bediener müssen lediglich die Kassetten manuell einlegen; die Maschine führt vollautomatische Zyklen durch, die das Grob- und Feinschleifen, Reinigen und die Rückgewinnung umfassen. Die nach dem Schleifen erzielte TTV ≤ 1,5 μm mit exzellenter Ebenheit und Oberflächenrauheit eignet sich für die Rückseitenverdünnung verschiedener Halbleiterwafer.
Die HY-WT9730 unterstützt Wafer bis zu 12 Zoll. Ausgestattet mit 3 luftgelagerten Schleifspindeln und 4 luftgelagerten Werkstückspindeln, integriert sie Schrupp-, Fein- und Polierprozesse. Der vollständig robotergestützte Workflow übernimmt automatisch Wafertransfer, -bearbeitung, -reinigung und -entnahme; lediglich die manuelle Kassettenzuführung ist erforderlich. Der hochpräzise Z-Achsen-Vorschub sorgt für überragende Wafer-Planheit und beschädigungsfreies Spiegelpolieren, während der robuste Rahmen eine stabile Serienproduktion gewährleistet.
Die HY-IS1000 ist eine Zwei-Stationen-Laserschneid- und Schleifanlage für SiC-Ingots, die Lasermodifikation und Wafer-Delaminierung kombiniert. Sie nutzt einen Ultrakurzpulslaser zur Erzeugung interner Modifikationsschichten in SiC-Ingots für ein sägespurenfreies Wafer-Splitten und erzielt einen hohen Durchsatz mit einer TTV ≤ 1,1 μm. Sie ist eine unverzichtbare Anlage für die Massenproduktion von Halbleitersubstraten der dritten Generation.
HY-WC615 doppelseitige Wafer-Fasenmaschine ist ausgestattet mit CCD-Vision-Positionierungs- und Online-Dickenmessmodulen, selbstentwickelten mechanischen Kernkomponenten und einem vollautomatischen Be- und Entladesystem und bietet so eine hervorragende Bearbeitungsgenauigkeit und benutzerfreundliche Touch-Bedienung für die Wafer-Fasenbearbeitung.
Die HY-ST3005 eignet sich für die hochpräzise Rückseitenverdünnung von harten, spröden Halbleitersubstraten mit einem Durchmesser von 4 bis 12 Zoll. Die Anlage wurde iterativ verbessert, um höchste Genauigkeit und Langzeitstabilität zu gewährleisten. Sie verfügt über hochwertige Kernbaugruppen (hydrostatische Luftlager-Schleifspindel, hochpräzise Waferspindel, hochsteifer Drehtisch mit großem Durchmesser) und einen hohen Automatisierungsgrad für die Massenproduktion von Silizium- und Verbindungshalbleiterwafern.
Die HY-ST3002 verarbeitet 4- bis 12-Zoll-Wafer für das präzise Dünnen und Schleifen harter, spröder Halbleiter. Dank umfassender Modernisierung und ausgereifter Prozesse zeichnet sie sich durch erhöhte Genauigkeit und stabile Langzeitleistung aus. Dazu tragen die optimierte automatische Dünnarchitektur und hochwertige Schlüsselkomponenten bei: hydrostatische, luftgelagerte Schleifspindel, hydrostatische, luftgelagerte Wafer-Haltespindel und ein hochsteifer Drehtisch mit großem Durchmesser.
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