wonach suchst du
?
Die HY-WT9330 ist mit einer luftgelagerten Schleifspindel und zwei luftgelagerten Werkstückspindeln ausgestattet. Sie kann verschiedene ultraharte, spröde und schwer zu schleifende Substrate bis zu 12 Zoll bearbeiten und ermöglicht so ein hocheffizientes, beschädigungsfreies und hochpräzises Spiegelschleifen mit herausragender Dickengenauigkeit. Sie eignet sich für das Rückseiten-Dünnschleifen aller Arten von Chipwafern.
Marke :
HYRNUSArtikelnummer :
HY-WT9330Bestellung (Mindestbestellmenge) :
1 SetGarantie :
One-Year Warranty and Lifetime MaintenanceZahlung :
T/TLieferzeit :
7-35 DaysProduktursprung :
ChinaHochleistungsfähige Wafer-Dünnungs- und Schleifanlagen für 12-Zoll-Hart-Spröd-Substrate
Produkteinführung
HY-WT9330 Hochleistungsfähige Wafer-Dünn- und Schleifanlagen Die Anlage ist mit einer 9,5-kW-Schleifspindel mit Luftlager und zwei Werkstückspindeln mit Luftlager ausgestattet. Für die stabile Waferaufnahme sorgen poröse Vakuumspanntische. Die Anlage verarbeitet harte, spröde Substrate mit einem maximalen Bearbeitungsdurchmesser von 300 mm. Die Bediener müssen lediglich die Kassetten manuell einlegen; mehrere Roboterarme übernehmen automatisch Positionierung, Schleifen, Schleuderreinigung und Trocknung und ermöglichen so eine unbeaufsichtigte Massenproduktion. Die Schleif-Z-Achse bietet einen Verfahrweg von 120 mm und eine minimale Vorschubinkrementierung von 0,1 µm für präzise Dickenkontrolle. Die Wafer-TTV nach dem Schleifen beträgt 1 µm, die Dickenabweichung zwischen den Wafern ±2,5 µm und die Oberflächenrauheit Ra < 10 nm. Dies gewährleistet eine exzellente Planheit und ein spiegelglattes Finish beim Rückseiten-Dünnschleifen aller Arten von Chipwafern.
Produktanwendung
Diese Anlage ist für das Präzisionsschleifen harter und spröder elektronischer Materialien und Bauteile konzipiert. Sie verarbeitet verschiedene Substrate wie Silizium, Siliziumkarbid, Verbindungshalbleiter, Epoxidharz, Saphir und Keramik und wurde speziell für schwer zu schleifende, ultraharte Materialien wie SiC, Lithiumtantalat (LT) und Lithiumniobat (LN) bis zu einer Größe von 12 Zoll entwickelt. Sie findet breite Anwendung beim Rückseitenverdünnen von Siliziumwafern für integrierte Schaltungen, diskrete Halbleiterbauelemente und LED-Chips.
Maschinenstrukturdiagramm
Maschinenbetriebsprozess
| Schritt | Betriebsbeschreibung |
| 1 | Die Waferkassette wird manuell in das Gerät eingelegt. |
| 2 | Der Roboterarm entnimmt den Wafer aus der Kassette und transportiert ihn zur Zentrierung auf die Positionierplattform. |
| 3 | Der Arm T1 nimmt den Wafer von der Positionierstation auf und platziert ihn auf dem Spanntisch. |
| 4 | Schleifprozesse durchführen. |
| 5 | Der Arm T2 nimmt den Wafer vom Chuck-Tisch auf und transportiert ihn zur Reinigung und Trocknung zur Rotationsreinigungsstation. |
| 6 | Der Roboterarm entnimmt den Wafer der Reinigungsstation und legt ihn zurück in die Kassette, und der oben beschriebene Ablauf wiederholt sich. |
Spezifikationen
| NEIN. | Artikel | Parameter |
| 1 | Maximale Werkstückgröße | Ø300 mm |
| 2 | Schleifspindel mit Luftlager | Menge: 1 |
| Leistung: 9,5 kW | ||
| Drehzahl: 800–4000 U/min | ||
| 3 | Werkstück-Luftlagerspindel | Menge: 2 |
| Drehzahl: 50–300 U/min | ||
| 4 | Schleifen der Z-Achse | Hub: 120 mm |
| Vorschubgeschwindigkeit beim Schleifen: 0,0001~0,08 mm/s | ||
| Minimaler Vorschubschritt: 0,1 μm | ||
| 5 | Klemmverfahren | Poröser Vakuumspanner |
| 6 | Nach dem Schleifen TTV | 1 μm |
| 7 | Wafer-zu-Wafer-Dickenabweichung nach der Bearbeitung | ±2,5 μm |
| 8 | Oberflächenrauheit nach dem Schleifen | Ra＜10 nm |
| 9 | Gesamtabmessungen | 3131*1000*1997 mm |
Hauptrahmen
| NEIN. | Artikel | Beschreibung |
| 1 | Rahmen | Unterrahmen: Geschweißte Stützkonstruktion aus 50×100 mm Vierkantrohr (Standard) |
| Oberrahmen: 30×60 Aluminiumprofil | ||
| 2 | Abdeckplatte | Kaltgewalztes Stahlblech mit kunststoffbesprühter Oberfläche (Standard) |
| 3 | Strukturteile | 45# Stahl mit verchromter Oberfläche & Aluminiumlegierung mit eloxierter Oberfläche |
| 4 | Stromversorgung | Dreiphasig 380 V, 50 Hz |
| 5 | Luftquelle | ≥0,5 MPa, 400 l/min |
Produktdetails
Die HY-WT9530 ist mit zwei luftgelagerten Spindeln und drei Vakuumspanntischen für harte, spröde Substrate bis zu 8 Zoll ausgestattet. Die Bediener müssen lediglich die Kassetten manuell einlegen; die Maschine führt vollautomatische Zyklen durch, die das Grob- und Feinschleifen, Reinigen und die Rückgewinnung umfassen. Die nach dem Schleifen erzielte TTV ≤ 1,5 μm mit exzellenter Ebenheit und Oberflächenrauheit eignet sich für die Rückseitenverdünnung verschiedener Halbleiterwafer.
Die HY-WT9730 unterstützt Wafer bis zu 12 Zoll. Ausgestattet mit 3 luftgelagerten Schleifspindeln und 4 luftgelagerten Werkstückspindeln, integriert sie Schrupp-, Fein- und Polierprozesse. Der vollständig robotergestützte Workflow übernimmt automatisch Wafertransfer, -bearbeitung, -reinigung und -entnahme; lediglich die manuelle Kassettenzuführung ist erforderlich. Der hochpräzise Z-Achsen-Vorschub sorgt für überragende Wafer-Planheit und beschädigungsfreies Spiegelpolieren, während der robuste Rahmen eine stabile Serienproduktion gewährleistet.
Die HY-WT9230 wurde für die Bearbeitung extrem harter, spröder Halbleitermaterialien bis zu einer Größe von 12 Zoll entwickelt. Ausgestattet mit zwei luftgelagerten Spindeln und einer hochpräzisen Z-Schleifachse ermöglicht sie vollautomatisches Spiegeldünnen mit hoher Effizienz und beschädigungsfreier Bearbeitung. Dank des porösen Vakuumfutters und der ultrafeinen Vorschubsteuerung gewährleistet die Maschine eine hervorragende Planheit und gleichmäßige Schichtdicke beim Dünnen von Halbleiterwafern.
Die HY-IS1000 ist eine Zwei-Stationen-Laserschneid- und Schleifanlage für SiC-Ingots, die Lasermodifikation und Wafer-Delaminierung kombiniert. Sie nutzt einen Ultrakurzpulslaser zur Erzeugung interner Modifikationsschichten in SiC-Ingots für ein sägespurenfreies Wafer-Splitten und erzielt einen hohen Durchsatz mit einer TTV ≤ 1,1 μm. Sie ist eine unverzichtbare Anlage für die Massenproduktion von Halbleitersubstraten der dritten Generation.
HY-WC615 doppelseitige Wafer-Fasenmaschine ist ausgestattet mit CCD-Vision-Positionierungs- und Online-Dickenmessmodulen, selbstentwickelten mechanischen Kernkomponenten und einem vollautomatischen Be- und Entladesystem und bietet so eine hervorragende Bearbeitungsgenauigkeit und benutzerfreundliche Touch-Bedienung für die Wafer-Fasenbearbeitung.
Die HY-ST3005 eignet sich für die hochpräzise Rückseitenverdünnung von harten, spröden Halbleitersubstraten mit einem Durchmesser von 4 bis 12 Zoll. Die Anlage wurde iterativ verbessert, um höchste Genauigkeit und Langzeitstabilität zu gewährleisten. Sie verfügt über hochwertige Kernbaugruppen (hydrostatische Luftlager-Schleifspindel, hochpräzise Waferspindel, hochsteifer Drehtisch mit großem Durchmesser) und einen hohen Automatisierungsgrad für die Massenproduktion von Silizium- und Verbindungshalbleiterwafern.
Die HY-ST3002 verarbeitet 4- bis 12-Zoll-Wafer für das präzise Dünnen und Schleifen harter, spröder Halbleiter. Dank umfassender Modernisierung und ausgereifter Prozesse zeichnet sie sich durch erhöhte Genauigkeit und stabile Langzeitleistung aus. Dazu tragen die optimierte automatische Dünnarchitektur und hochwertige Schlüsselkomponenten bei: hydrostatische, luftgelagerte Schleifspindel, hydrostatische, luftgelagerte Wafer-Haltespindel und ein hochsteifer Drehtisch mit großem Durchmesser.
eine Nachricht hinterlassen
Scannen Sie den QR-Code zu WeChat :
Scannen und zu WhatsApp senden :
