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Das HY-EL25H ist ein Laborplasma-Behandlungssystem, das in Forschungsinstituten, Forschungs- und Entwicklungsabteilungen von Unternehmen sowie in Pilotproduktionsanlagen für Kleinserien weit verbreitet ist. Es nutzt die CCP-Entladungstechnologie (kapazitiv gekoppeltes Plasma). Das System besteht aus einer quadratischen Vakuumkammer aus Edelstahl, einem Plasmagenerator, einer Vakuumpumpe sowie Gasein- und -auslässen.
Es verbessert effektiv die Haftung auf Substratoberflächen und erhöht deren Hydrophilie. Dadurch findet es breite Anwendung in der Materialverbindung, Beschichtung, Substratfilmabscheidung und Wafer-Bonding. Das Gerät ermöglicht eine stabile und reproduzierbare Plasmabehandlung für Forschungsprojekte in den Bereichen Halbleiter, Mikrofluidik und neue Materialien.
Marke :
HYRNUSArtikelnummer :
HY-EL25HBestellung (Mindestbestellmenge) :
1 SetGarantie :
One-Year Warranty and Lifetime MaintenanceZahlung :
T/TLieferzeit :
7-35 DaysProduktursprung :
China25-Liter-Vakuum-Plasma-Reinigungsanlage für Labore mit 7-Zoll-SPS-Touchscreen
Produkteinführung
Der NE-PE25H Vakuum-Plasma-Reinigungsmaschine Das Gerät eignet sich ideal für universitäre Forschungslabore, Forschungs- und Entwicklungszentren von Unternehmen sowie die Kleinserienfertigung. Ausgestattet mit einer quadratischen Vakuumkammer aus Edelstahl mit Schweißnähten nach Militärstandard, integrierten Doppellagenelektroden, zwei unabhängigen Gaskanälen und einer Frontöffnung mit rückseitiger Abgasführung, gewährleistet es eine gleichmäßige Gaszufuhr und hervorragende Korrosionsbeständigkeit. Der benutzerfreundliche Touchscreen ermöglicht die Echtzeit-Parameterüberwachung, die Speicherung von Prozessrezepten für mehrere Gruppen mit vollständiger Datenrückverfolgbarkeit und macht einen zusätzlichen Gasmischer für Tests mit unterschiedlichen Gasverhältnissen überflüssig.
Dieses Plasmasystem verbessert die Substrathaftung und Hydrophilie erheblich und ermöglicht eine stabile, reproduzierbare Behandlung von Kernprozessen wie der Entfernung organischer Verunreinigungen, der Modifizierung hydrophiler/hydrophober Oberflächen, dem Präzisionsmikroätzen, dem Bonden von PDMS-Mikrofluidikchips und dem Veraschen von Fotolack. Es findet breite Anwendung beim Materialbonden, Beschichten, der Substratfilmabscheidung und in allen Arten von Forschungsprojekten zu neuen Halbleitermaterialien.
Produktanwendung
1. Reinigung: Organische Rückstände, Oxide, Metallsalze und partikelförmige Verunreinigungen im Nanobereich entfernen.
2. Aktivierung: Anpassung der hydrophilen/hydrophoben Eigenschaften, Erhöhung der Oberflächenenergie, Aufbringen funktioneller Gruppen und Verbesserung der Biokompatibilität.
3. Ätzen: Oberflächenstrukturierung, Mikroätzen und kontrollierbare Anpassung der Oberflächenmorphologie und -rauheit.
4. Verbindung: Hermetische Verbindung für PDMS und andere mikrofluidische Chips.
5. Fotolackentfernung: Veraschung des Fotolacks und Entfernung der unteren Antireflexionsschicht.
Produktmerkmale
1. Vakuumkammer aus Edelstahl, verarbeitet mit Schweißverfahren nach Militärstandard, zeichnet sich durch überlegene Dichtungsleistung und hervorragende Korrosionsbeständigkeit aus.
2. Zwei eingebaute Elektrodenlagen und mehrlagige Verarbeitungsschalen verbessern die Raumausnutzung erheblich.
3. Benutzerfreundliche Touchscreen-Oberfläche zur Anzeige von Prozessparametern in Echtzeit.
4. Unterstützt die Speicherung mehrerer Prozessrezepte zum Abruf mit einem Klick, wobei die Betriebsdaten vollständig nachvollziehbar sind.
5. Ausgestattet mit zwei unabhängigen Gaskanälen; kein zusätzlicher Gasmischer erforderlich, ideal zum Testen verschiedener Gasmischungsverhältnisse.
6. Die nach vorn öffnende Tür in Kombination mit dem nach hinten gerichteten Abgasauslass sorgt für eine dynamische interne Gaszirkulation. Die gleichmäßige Luftzufuhr gewährleistet gleichbleibende Reinigungsergebnisse.
Maschinenumrisszeichnung und Vakuumkammerdiagramm
Technische Spezifikationen
| NEIN. | Kategorie | Spezifikationsartikel | Parameter |
| 1 | Plasmagenerator | Leistung | 0–1000 W, stufenlos einstellbar |
| Frequenz | 40 kHz | ||
| 2 | Vakuumreaktionskammer | Kammermaterial | Importierter Edelstahl 316 mit Spiegelglanz und Dichtung nach Militärstandard |
| Kammervolumen | 380 (B) × 390 (T) × 170 (H) mm; 25 l | ||
| Effektiver Verarbeitungsraum | 333 (B) × 320 (T) mm | ||
| 3 | Entladungselektroden | Elektroden | 3 Stück spezielle Elektroden aus hochleitfähiger Aluminiumlegierung |
| Verarbeitungsschichten | 2 Schichten | ||
| Entlademodus | CCP kapazitiv gekoppelte Plasma-Reaktionsentladung | ||
| Abstand der positiven und negativen Elektroden | 50 mm | ||
| Tablettabstand | 30 mm | ||
| 4 | Gaswegsteuerung | Massendurchflussregler | 300 SCCM |
| Gaskreislaufdesign | Doppelseitiges, gleichmäßiges Lufteinlassdesign für konsistente Reinigungs- und Ätzergebnisse | ||
| Gaskanäle | 2 Gasleitungen, kompatibel mit O₂, Ar, N₂, H₂, usw. | ||
| (Bitte benachrichtigen Sie uns im Voraus, falls ätzende Gase benötigt werden.) | |||
| 5 | Vakuummessung | Vakuummesssystem | Messbereich: 5×10⁻² ~ 1,0×10⁵ Pa |
| Messgenauigkeit: 0,1 Pa | |||
| 6 | Pumpensystem | Vakuumpumpe | 16 m³/h |
| Vakuumleitung | Edelstahlrohre + pneumatische Ventile | ||
| 7 | Steuerungssystem | Steuermodus | SPS |
| Touch-Screen | 7-Zoll-Touchpanel | ||
| Softwareprogramm | Selbstentwickeltes, patentiertes Plasma-Steuerungssystem | ||
| 8 | Standortbedingungen | Stromversorgung | 220 V, 50/60 Hz, 13 A |
| Gasrohrverbinder | Φ6 mm | ||
| Erforderliche Gasreinheit | 99,99 % | ||
| Einlassgasdruck | 0,3–0,6 MPa | ||
| Auslassöffnung | KF25 Flansch | ||
| 9 | Allgemeine Maschinenspezifikationen | Gesamtabmessungen | 650 mm (L) × 649 mm (B) × 666 mm (H) |
| Nettogewicht | 80 kg | ||
| Gesamtstromverbrauch | 3 kW |
Betriebsumgebung (Vom Kunden vorzubereitende Elemente)
| NEIN. | Artikel | Anforderungen |
| 1 | Stromversorgung und Netzzustand | Eingang: 220 V, 50/60 Hz; zulässige Netzschwankungen ±10 %. Der Schutzleiter muss internationalen Normen entsprechen. In der Nähe des Aufstellungsortes dürfen keine starken elektromagnetischen Störungen auftreten. |
| 2 | Installationsumgebungsbedingungen | Umgebungstemperatur: 0–40 °C; Relative Luftfeuchtigkeit: 15–60 %. |
| 3 | Gasquellenvorbereitung | Gasflaschen für Sauerstoff, Argon, Stickstoff, Wasserstoff usw. (müssen mit Druckminderventilen ausgestattet sein). Eingangsgasdruck > 0,3 MPa; Gasanschlussdurchmesser: Φ6 mm. |
| 4 | Abluftkanal | Anschluss an den Auslassanschluss der Vakuumpumpe (obligatorisch für Reinraumanwendungen). |
Produktdetails
HY-AD03 ist ein atmosphärischer direkter Das Plasmareinigungsgerät dient der Oberflächenreinigung, -aktivierung und -modifizierung unter Umgebungsbedingungen. Es zeichnet sich durch konzentrierte Energie bei geringem Behandlungsbedarf aus und verbessert so effektiv die Produkthaftung, Hydrophilie und Bedruckbarkeit. Zudem entfernt es Verunreinigungen wie organische Rückstände, Ölflecken und Oxidschichten von Materialoberflächen.
Die HY-TM500 arbeitet unter Atmosphärendruck ohne Vakuumkammern. Spezielle 3-Achsen-Schienen ermöglichen eine präzise, flächendeckende Bearbeitung. Ausgestattet mit Hardware in Militärqualität und digitaler Steuerung unterstützt sie eine einstellbare Leistung von 0–800 W. Nullpotential-Niedertemperaturplasma schützt Leiterplatten, flexible Leiterplatten und Halbleiterbauteile und führt Oberflächenreinigung, -aktivierung und -modifizierung durch, um die Haftung für Kleben, Drucken und Beschichten zu verbessern. Sie ist bereit für die Inline-Automatisierung in der 3C-, Display-, Halbleiter-, Automobil- und neuen Energiebranche.
Das HY-DC1000 ist mit einer Rotationspistole mit großer Abdeckung und austauschbaren Düsen von 20 bis 80 mm ausgestattet und eignet sich ideal für große, flache Werkstücke wie Leiterplatten in Standardgröße, Elektroden für neue Energiebatterien, Kunststoffkomponenten für die Automobilindustrie und Displayglasscheiben. Es unterstützt eine breitbandig einstellbare Leistung von 0–1000 W, um eine gleichmäßige Plasmaabdeckung großer Oberflächen zu gewährleisten. Dadurch werden organische Verunreinigungen effizient entfernt und Druckfehler sowie Ablösungen der Beschichtung bei der Massenproduktion in Fließbandfertigungslinien vermieden.
Das HY-DD600 verfügt über eine schmale Düse (2–6 mm effektive Breite) und eignet sich ideal für kleinste, empfindliche Bauteile wie Chips, flexible FPC-Leiterplatten und miniaturisierte BGA-Substrate. Der Nullpotential-Niedertemperatur-Plasmastrahl eliminiert die Gefahr von Verbrennungen bei ultradünnen PI/ITO-Materialien. Die kompakte Düse ermöglicht die Bearbeitung enger Spalten und komplexer Mikrostrukturen und ist somit perfekt geeignet für kleine automatische Bond- und Dosieranlagen zur Halbleiterverpackung und Kameramodul-Vorbehandlung.
Die HY-AC500 arbeitet mit einer Rotationsplasmaspritzpistole und verfügt über zwei Steuerungsmodi (manuell und per I/O). Sie ermöglicht die gleichmäßige Reinigung, Aktivierung und Mikroätzung von Leiterplatten, flexiblen Leiterplatten, BGA-Gehäusen und Halbleiterchips. Die Anlage zeichnet sich durch Hardware in Militärqualität, digitale Echtzeitüberwachung und mehrstufige Sicherheitsfunktionen aus. Dieses 1000-W-Analog-Plasma-Schneidgerät findet breite Anwendung in der Vorbehandlung von Halbleitergehäusen, 3C-Elektronik, Displays, Automobilelektronik und der neuen Energiewirtschaft.
Die HY-AC1000H nutzt vakuumfreies Niedertemperatur-Neutralplasma und ist mit anpassbaren Schienen und zwei Rotationspistolen ausgestattet. Mit einer einstellbaren Leistung von 0–1000 W und einer Behandlungsbreite von 20–80 mm reinigt sie Späne schonend und ohne thermische Beschädigung.Die kombinierte physikalische und chemische Trockenreinigung verbessert die Haftung beim Chip-Attach, Drahtbonden und Spritzgießen und reduziert so Delaminationen und Lufteinschlüsse. Das System unterstützt manuelle und E/A-Steuerung mit umfassender Sicherheitsüberwachung und lässt sich in automatische Fertigungslinien für die kontinuierliche Verarbeitung von Substraten, Leadframes und großen FPC-Panels integrieren. Es ermöglicht eine stabile Produktion unter Volllast über lange Zeiträume mit einer Reaktionszeit von unter 0,1 Sekunden.
Die HY-AS1200 ist mit einer motorbetriebenen Rotationsdüse ausgestattet, die eine gleichmäßige Plasmaoberfläche erzeugt. Mit einer Behandlungsbreite von 20–80 mm und einer einstellbaren Leistung von 0 bis 1200 W eignet sie sich ideal für die Vorbehandlung von großflächigen Leadframes und Substraten. Das neutrale Plasma bei Raumtemperatur beschädigt die Chips nicht und entfernt unter Atmosphärendruck organische Rückstände und Oberflächenoxide, um die Haftung für Chipmontage, Drahtbonden und Spritzgießen zu verbessern und gleichzeitig Delaminationen und Lufteinschlüsse zu beseitigen.Ausgestattet mit mehrschichtigen Sicherheitsvorkehrungen und vollständig kompatibel mit automatisierten Produktionslinien, findet dieses Gerät breite Anwendung bei Verpackungs- und Testverfahren für ICs, FPCs und Automobilchips.
Der HY-AD800 verarbeitet empfindliche Chips, Leiterplatten und Kunststoffbauteile sicher und ohne thermische Verformung. Ausgestattet mit einer einstellbaren Leistung von 0–800 W, dualem IO/manuellen Betrieb und umfassenden Sicherheitsfunktionen lässt er sich problemlos in automatisierte Produktionslinien für Oberflächenreinigung, Aktivierung und verbesserte Haftung integrieren. Dadurch ist er ideal für die Halbleiterverpackung, 3C-Elektronik, Automobilindustrie, neue Energien und die LED-Fertigung.
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