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Das HY-PS13 ist ein CCP-Vakuumplasma-System zur Entfernung von Fotolack auf Wafern, zur Reinigung und Oberflächenaktivierung. Es ist in Forschungslaboren und der Kleinserienfertigung von Halbleitern beliebt. Die Edelstahlkammer mit Pumpen- und Gasmodulen verbessert die Materialhaftung und Hydrophilie für Bond-, Beschichtungs- und Dünnschichtprozesse.
Marke :
HYRNUSArtikelnummer :
HY-PS13Bestellung (Mindestbestellmenge) :
1 SetGarantie :
One-Year Warranty and Lifetime MaintenanceZahlung :
T/TLieferzeit :
7-35 DaysProduktursprung :
China13L CCP RF Vakuum-Plasmareiniger zum Entfernen von Wafer-Fotolack und zur Oberflächenaktivierung
Produkteinführung
HY-PS13 13L RF Vakuum-PlasmareinigerEs handelt sich um ein kapazitiv gekoppeltes (CCP) Vakuumplasmasystem, das speziell für das Entfernen von Fotolack auf Wafern und Siliziumsubstraten sowie für die Oberflächenreinigung und -aktivierung entwickelt wurde. Die vollständig quadratische Plasmaanlage aus Edelstahl findet breite Anwendung in universitären Forschungslaboren, Forschungs- und Entwicklungszentren von Unternehmen und Kleinserienfertigungslinien für Halbleiter. Sie integriert eine Vakuumkammer, einen Plasmagenerator, eine Vakuumpumpe sowie komplette Gasein- und -auslassbaugruppen.
Ausgestattet mit hermetischer Schweißung nach Militärstandard, einem 3-lagigen Wafer-Tray und einem 13,56-MHz-HF-Netzteil mit automatischer Anpassung verbessert es die Substrathaftung erheblich und optimiert die Hydrophilie des Materials. Es liefert stabile und konsistente Ergebnisse für Waferbonden, Beschichten, Dünnschichtabscheidung, mikrofluidisches Packaging und alle Arten von präzisen Materialmodifikationsprozessen.
Produktanwendung
1. Reinigung: Entfernung von organischen Stoffen, Oxiden, Metallsalzen, partikelförmigen Verunreinigungen im Nanobereich usw.
2. Aktivierung: Hydrophile/hydrophobe Modifizierung, Verbesserung der Oberflächenenergie, Aufpfropfen von funktionellen Gruppen, Optimierung der Biokompatibilität usw.
3. Ätzen: Oberflächenstrukturierung, Mikroätzen, Anpassung der Oberflächenmorphologie und -rauheit usw.
4. Verbindung: Verbindung von mikrofluidischen Bauteilen wie PDMS-Chips.
5. Fotolackentfernung: Veraschung des Fotolacks, Entfernung der unteren Antireflexionsbeschichtung (BARC) usw.
Produktmerkmale
1. Vakuumkammer aus Edelstahl, hergestellt mit Schweißtechnik nach Militärstandard, die hervorragende Luftdichtheit und Langzeitbeständigkeit für eine stabile Plasmaverarbeitung gewährleistet.
2. Die Konstruktion des 3-lagigen Probenhalters aus Edelstahl unterstützt die Verarbeitung kleiner Chargen und maximiert die Ausnutzung des Innenraums der Kammer erheblich.
3. Das benutzerfreundliche Touchscreen-HMI ermöglicht die Echtzeitüberwachung und die vollständige Parametersteuerung des gesamten Verarbeitungszyklus.
4. Speichert mehrere benutzerdefinierte Prozessrezepte zum Abruf mit einem Klick; alle historischen Prozessdaten sind für Versuchs- und Produktionsaufzeichnungen vollständig nachvollziehbar.
5. Zwei hochpräzise MFC-Massenstromregler ermöglichen flexible Tests von Gasmischungsverhältnissen zur Optimierung der Reinigungs- und Behandlungsergebnisse.
6. Ausgestattet mit einem 13,56-MHz-HF-Plasma-Netzteil mit automatischer Impedanzanpassung, das eine überlegene Prozessstabilität und Wiederholbarkeit bietet.
Maschinenumrisszeichnung und Vakuumkammerdiagramm
Technische Spezifikationen
| NEIN. | Kategorie | Artikel | Spezifikation & Parameter |
| 1 | Plasmagenerator | Halbleiter-Netzteil | Einstellbar von 0–300 W, Standard-Sinuswellenausgang; Stabilität ≤ ±0,5 %; Schutz gegen Überspannung, Überstrom, Übertemperatur und reflektierte Leistung |
| Antistrahlungs-Hochfrequenz-Anpassgerät | Automatisches Highspeed-Matching innerhalb von 0,1 Sekunden, unterstützt Netzwerkkommunikation | ||
| HF-Frequenz | 13,56 MHz | ||
| 2 | Vakuumreaktionskammer | Kammermaterial | Importierter Edelstahl 316 mit Dichtung nach Militärstandard |
| Kammervolumen | 240 (B) × 280 (T) × 200 (H) mm; 13 l | ||
| Effektiver Verarbeitungsraum | 205 (B) × 210 (T) × 30 (H) mm | ||
| Verarbeitungsschichten | 3 Schichten | ||
| Elektrodenabstand | 45 mm | ||
| Tablettabstand | 30 mm | ||
| Gleichmäßigkeit | Gleichmäßigkeit innerhalb eines Wafers ≤ ±20 %; Gleichmäßigkeit zwischen Wafern ≤ ±20 %; Gleichmäßigkeit zwischen Chargen ≤ ±20 % | ||
| 3 | Entladungselektrode | Elektrode | Spezielle Elektrode aus hochleitfähiger Aluminiumlegierung |
| Entlademodus | CCP- und RIE-Ionenreaktionsentladungsmodi | ||
| 4 | Gaskreislaufsteuerung | Gasmassenstromregler | 300 SCCM |
| Gaskreislaufdesign | Einheitliches Kammergaseinlassdesign zur Gewährleistung gleichmäßiger Reinigungs- und Ätzeffekte | ||
| Gaskanäle | 2 Gaskanäle, kompatibel mit O₂, Ar, N₂, H₂usw. Benachrichtigen Sie uns bitte im Voraus, falls korrosive Gase benötigt werden. | ||
| 5 | Vakuummessung | Vakuummesssystem | Messbereich: 5×10⁻² ~ 1,0×10⁵ Pa |
| Messgenauigkeit: 0,1 Pa | |||
| 6 | Pumpensystem | Vakuumpumpe | 16 m³/h |
| Vakuumleitung | Edelstahlrohrleitung + pneumatische Ventile | ||
| 7 | Steuerungssystem | Steuermodus | SPS |
| Touch-Screen | 7-Zoll-Touchpanel | ||
| Echtzeitüberwachung | Echtzeitanzeige von Leistung, Vakuumgrad, Luftdruck, Gasdurchfluss, Arbeitszeit usw. | ||
| Softwareprogramm | Selbstentwickeltes, patentiertes Plasma-Steuerungssystem; dreistufige Berechtigungsverwaltung; Automatik- und manueller Modus; Rezeptparameter einstellen, speichern und abrufen; Alarmverlauf abfragen; E/A-Überwachung | ||
| Alarmfunktionen | Vakuumschutzalarm, Glühverlustalarm, Überlastalarm, Luftdruckalarm, Phasenfolgealarm | ||
| 8 | Standortbedingungen | Druckausgleichsfunktion | Unterstützt den Prozessgaseinlass mit konfigurierbarer Ausgleichszeit zur Druckstabilisierung |
| Stromversorgung | 220 V, 50/60 Hz, 9 A | ||
| Gasrohrverbinder | 6 mm Durchmesser | ||
| Anforderungen an die Gasreinheit | 99,99 % | ||
| Gaseinlassdruck | 0,4–0,6 MPa | ||
| Auslassöffnung | KF25 Flansch | ||
| 9 | Gesamtparameter der Einheit | Gesamtstromverbrauch | 2 kW |
| Gesamtabmessungen | 640 mm (B) × 665 mm (T) × 580 mm (H) |
Betriebsumgebung (Vom Kunden vorzubereitende Elemente)
| NEIN. | Artikel | Anforderungen |
| 1 | Stromversorgung | Netzstandard: 220 V, 50/60 Hz, Spannungsschwankung ±10 %; Erdungsdraht entspricht internationalen Standards; keine starken elektromagnetischen Störungen in der Umgebung des Aufstellungsortes des Geräts. |
| 2 | Installationsumgebung | Umgebungstemperatur: 0–40 °C; Relative Luftfeuchtigkeit: 15–60 %. |
| 3 | Gasquelle | Gasflaschen für O₂, Ar, N₂, H₂ und andere Prozessgase (ausgestattet mit Druckminderventilen); Einlassgasdruck ＞0,3 MPa; Durchmesser des Gasrohranschlusses: Φ6 mm. |
| 4 | Abgasleitung | An den Abluftausgang der Vakuumpumpe anschließen (obligatorisch für Reinraumanwendungen). |
Produktdetails
HY-AD03 ist ein atmosphärischer direkter Das Plasmareinigungsgerät dient der Oberflächenreinigung, -aktivierung und -modifizierung unter Umgebungsbedingungen. Es zeichnet sich durch konzentrierte Energie bei geringem Behandlungsbedarf aus und verbessert so effektiv die Produkthaftung, Hydrophilie und Bedruckbarkeit. Zudem entfernt es Verunreinigungen wie organische Rückstände, Ölflecken und Oxidschichten von Materialoberflächen.
Die HY-TM500 arbeitet unter Atmosphärendruck ohne Vakuumkammern. Spezielle 3-Achsen-Schienen ermöglichen eine präzise, flächendeckende Bearbeitung. Ausgestattet mit Hardware in Militärqualität und digitaler Steuerung unterstützt sie eine einstellbare Leistung von 0–800 W. Nullpotential-Niedertemperaturplasma schützt Leiterplatten, flexible Leiterplatten und Halbleiterbauteile und führt Oberflächenreinigung, -aktivierung und -modifizierung durch, um die Haftung für Kleben, Drucken und Beschichten zu verbessern. Sie ist bereit für die Inline-Automatisierung in der 3C-, Display-, Halbleiter-, Automobil- und neuen Energiebranche.
Das HY-DC1000 ist mit einer Rotationspistole mit großer Abdeckung und austauschbaren Düsen von 20 bis 80 mm ausgestattet und eignet sich ideal für große, flache Werkstücke wie Leiterplatten in Standardgröße, Elektroden für neue Energiebatterien, Kunststoffkomponenten für die Automobilindustrie und Displayglasscheiben. Es unterstützt eine breitbandig einstellbare Leistung von 0–1000 W, um eine gleichmäßige Plasmaabdeckung großer Oberflächen zu gewährleisten. Dadurch werden organische Verunreinigungen effizient entfernt und Druckfehler sowie Ablösungen der Beschichtung bei der Massenproduktion in Fließbandfertigungslinien vermieden.
Das HY-DD600 verfügt über eine schmale Düse (2–6 mm effektive Breite) und eignet sich ideal für kleinste, empfindliche Bauteile wie Chips, flexible FPC-Leiterplatten und miniaturisierte BGA-Substrate. Der Nullpotential-Niedertemperatur-Plasmastrahl eliminiert die Gefahr von Verbrennungen bei ultradünnen PI/ITO-Materialien. Die kompakte Düse ermöglicht die Bearbeitung enger Spalten und komplexer Mikrostrukturen und ist somit perfekt geeignet für kleine automatische Bond- und Dosieranlagen zur Halbleiterverpackung und Kameramodul-Vorbehandlung.
Die HY-AC500 arbeitet mit einer Rotationsplasmaspritzpistole und verfügt über zwei Steuerungsmodi (manuell und per I/O). Sie ermöglicht die gleichmäßige Reinigung, Aktivierung und Mikroätzung von Leiterplatten, flexiblen Leiterplatten, BGA-Gehäusen und Halbleiterchips. Die Anlage zeichnet sich durch Hardware in Militärqualität, digitale Echtzeitüberwachung und mehrstufige Sicherheitsfunktionen aus. Dieses 1000-W-Analog-Plasma-Schneidgerät findet breite Anwendung in der Vorbehandlung von Halbleitergehäusen, 3C-Elektronik, Displays, Automobilelektronik und der neuen Energiewirtschaft.
Die HY-AC1000H nutzt vakuumfreies Niedertemperatur-Neutralplasma und ist mit anpassbaren Schienen und zwei Rotationspistolen ausgestattet. Mit einer einstellbaren Leistung von 0–1000 W und einer Behandlungsbreite von 20–80 mm reinigt sie Späne schonend und ohne thermische Beschädigung.Die kombinierte physikalische und chemische Trockenreinigung verbessert die Haftung beim Chip-Attach, Drahtbonden und Spritzgießen und reduziert so Delaminationen und Lufteinschlüsse. Das System unterstützt manuelle und E/A-Steuerung mit umfassender Sicherheitsüberwachung und lässt sich in automatische Fertigungslinien für die kontinuierliche Verarbeitung von Substraten, Leadframes und großen FPC-Panels integrieren. Es ermöglicht eine stabile Produktion unter Volllast über lange Zeiträume mit einer Reaktionszeit von unter 0,1 Sekunden.
Die HY-AS1200 ist mit einer motorbetriebenen Rotationsdüse ausgestattet, die eine gleichmäßige Plasmaoberfläche erzeugt. Mit einer Behandlungsbreite von 20–80 mm und einer einstellbaren Leistung von 0 bis 1200 W eignet sie sich ideal für die Vorbehandlung von großflächigen Leadframes und Substraten. Das neutrale Plasma bei Raumtemperatur beschädigt die Chips nicht und entfernt unter Atmosphärendruck organische Rückstände und Oberflächenoxide, um die Haftung für Chipmontage, Drahtbonden und Spritzgießen zu verbessern und gleichzeitig Delaminationen und Lufteinschlüsse zu beseitigen.Ausgestattet mit mehrschichtigen Sicherheitsvorkehrungen und vollständig kompatibel mit automatisierten Produktionslinien, findet dieses Gerät breite Anwendung bei Verpackungs- und Testverfahren für ICs, FPCs und Automobilchips.
Der HY-AD800 verarbeitet empfindliche Chips, Leiterplatten und Kunststoffbauteile sicher und ohne thermische Verformung. Ausgestattet mit einer einstellbaren Leistung von 0–800 W, dualem IO/manuellen Betrieb und umfassenden Sicherheitsfunktionen lässt er sich problemlos in automatisierte Produktionslinien für Oberflächenreinigung, Aktivierung und verbesserte Haftung integrieren. Dadurch ist er ideal für die Halbleiterverpackung, 3C-Elektronik, Automobilindustrie, neue Energien und die LED-Fertigung.
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