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Dieser industrielle Vakuum-Plasmareiniger arbeitet mit 13,56-MHz-HF-Leistung und SPS-Touch-Steuerung. Ausgestattet mit einer nach Militärstandard abgedichteten Kammer, zwei Plasmamodi und zwei einstellbaren Gaskanälen, speichert er bis zu 100 Prozessrezepte und gewährleistet eine gleichmäßige Plasmabehandlung.
Marke :
HYRNUSArtikelnummer :
HY-EI160Bestellung (Mindestbestellmenge) :
1 SetGarantie :
One-Year Warranty and Lifetime MaintenanceZahlung :
T/TLieferzeit :
7-35 DaysProduktursprung :
ChinaIndustrielle Vakuum-Plasma-Reinigungsanlage mit 165-Liter-Kammer für die Halbleiterverpackung in der Massenproduktion
Produkteinführung
HY-EI160 Industrielle Produktion Vakuum-Plasmareiniger Es handelt sich um ein Präzisions-Trockenreinigungsgerät. Es ist spezialisiert auf die Bearbeitung von hybriden integrierten Schaltungen, monolithischen IC-Gehäusen und Keramiksubstraten, die in der Halbleiterindustrie, der Elektronikgehäusefertigung, der Waferbearbeitung nach dem Ätzen, bei Steckverbindern und elektronischen Präzisionsbauteilen weit verbreitet sind.
Es entfernt effizient Fett, organische Rückstände und Metalloxide und erzielt eine zuverlässige Oberflächenaktivierung für Kunststoffe, Gummi, Metalle und Keramik.
Produktanwendung
1. Reinigung: Entfernen von organischen Stoffen, Oxiden, Metallsalzen, Verunreinigungen in Nanogröße und anderen Verunreinigungen.
2. Oberflächenaktivierung: Modifizierung hydrophiler und hydrophober Eigenschaften, Erhöhung der Oberflächenenergie, Einführung funktioneller Gruppen und Verbesserung der Biokompatibilität.
3. Ätzen: Oberflächenstrukturierung, Mikroätzen und Anpassung der Oberflächenmorphologie und -rauheit.
4. Bonding: Bonding für mikrofluidische Bauelemente wie PDMS-Chips.
5. Stripping: Veraschung des Fotolacks, Entfernung der unteren Schicht und andere Trockenstrippverfahren.
Produktmerkmale
1. Hochdichte-HF-Plasmagenerator mit 13,56 MHz und automatischer Impedanzanpassung; konstante Plasmadichte liefert reproduzierbare und stabile Verarbeitungsergebnisse.
2. Touchscreen-SPS-Steuerung mit vollständiger Sicherheitsverriegelung, stabiler Regelung und benutzerfreundlicher Bedienung
3. Geschweißte Vakuumkammer in Militärqualität mit hervorragender Abdichtung und Korrosionsbeständigkeit
4. Speicherkapazität für 100 Prozessrezeptgruppen, schneller Parameterabruf zur Reduzierung menschlicher Bedienungsfehler
5. Zwei Betriebsmodi (Direktplasma und Downstream-Plasma) mit einstellbarem Arbeitsabstand zur Bearbeitung verschiedener Werkstücke
6. Perforierte Parallelplattenelektrode für eine gleichmäßige Plasmaverteilung
7. Zwei unabhängige Gaskanäle mit präziser Durchflussregelung ermöglichen das einfache Testen verschiedener Gasverhältnisse für eine optimale Reinigungsleistung.
Maschinenumrisszeichnung und Vakuumkammerdiagramm
Technische Spezifikationen
| Kategorie | Artikel | Parameter |
| 1. Plasmagenerator-Host | Halbleiter-Leistungsausgang | 0–1000 W einstellbar und anzeigbar, Standard-Sinuswellenausgang, Stabilität ≤ ±0,5 %; mit Schutz vor Überspannung, Überstrom, Übertemperatur und reflektierter Leistung |
| Antistrahlungs-HF-Impedanzanpassungsgerät | Automatische Hochgeschwindigkeits-Zuordnung innerhalb von 0,1 Sekunden, unterstützt Netzwerkkommunikation | |
| HF-Frequenz | 13,56 MHz | |
| 2. Vakuumreaktionskammer | Kammermaterial | Aluminiumlegierung für die Luftfahrt mit Dichtung in Militärqualität |
| Kammervolumen | 550 × 600 × 500 (B × T × H) mm, 165 l | |
| Effektiver Verarbeitungsbereich einer einzelnen Schicht | 510 (B) × 508 (T) × 30 (H) mm | |
| 3. Entladungselektrode | Elektrodenmaterial | Spezielle Elektrode aus hochleitfähiger Aluminiumlegierung |
| Verarbeitbare Schichten | 8 Ebenen (anpassbar) | |
| Spalt zwischen positiven und negativen Platten | 51 mm | |
| 4. Gaskreislaufsteuerung | MFC-Massenstromregler | 0–500 SCCM |
| Gaskreislaufdesign | Einheitliche Einlassanordnung innerhalb der Kammer zur Gewährleistung eines gleichmäßigen Reinigungseffekts | |
| Prozessgaskanäle | Zwei unabhängige Kanäle, kompatibel mit Sauerstoff, Argon usw. Bitte informieren Sie uns im Voraus, falls korrosive Gase benötigt werden. | |
| 5. Vakuummesssystem | Messbereich | 5×10⁻² ~ 1,0×10⁻⁵ Pa |
| Messgenauigkeit | 0,1 Pa | |
| 6. Vakuumpumpensystem | Vakuumpumpensatz | 60 m³/h Öldrehflügelpumpe + 300 m³/h Roots-Pumpe |
| Arbeitsvakuumgrad | ≤30Pa | |
| Evakuierungszeit | Innerhalb von Hunderten | |
| Entlüftungszeit | ≤30 Sekunden | |
| Vakuumleitung | Edelstahlrohrleitung mit pneumatischen Ventilen | |
| 7. Steuerungssystem | Steuermodus | SPS-Steuerung |
| Echtzeit-Überwachungselemente | Vakuumgrad, Luftdruck, Ausgangsleistung, Gasdurchfluss, Arbeitszeit | |
| Touch-Screen | 10-Zoll-HMI-Touchpanel | |
| Softwareprogramm | Eigenpatentiertes Plasma-Steuerungssystem mit dreistufiger Zugriffsberechtigung; Automatik-/Manuell-Modus, Rezeptkonfiguration/-speicherung/-abruf, Alarmverlaufsabfrage, E/A-Signalüberwachung | |
| Alarmfunktionen | Vakuumschutz, Glimmentladungsschutz, Netzschutz, Luftdruckalarm, Phasenfolgealarm | |
| Druckausgleichsfunktion | Vorkammer-Druckausgleich vor Gaseinlass, einstellbare Ausgleichsdauer | |
| 8. Anforderungen an die Standortversorgung | Stromversorgung | Einphasiger Wechselstrom 380 V, 50/60 Hz, dreiphasig, 5-adrig, 31 A |
| Gasanschluss | Durchmesser 6 mm, PU-Rohr | |
| Erforderliche Gasreinheit | ≥99,99 % | |
| Druckluft | 0,6–0,8 MPa | |
| Luftdruckmessung | 2-Kanal-Druckmessgeräte mit automatischer Alarmfunktion | |
| Auslassanschluss Standard | KF40 Flansch | |
| 9. Allgemeine Maschinenparameter | Gesamtmaschinenleistung | 11,5 kW |
| Gesamtabmessungen | 1170 mm (L) × 1190 mm (B) × 1825 mm (H) |
Betriebsumgebung (Vom Kunden vorzubereitende Elemente)
| NEIN. | Artikel | Anforderungen |
| 1 | Stromversorgung | Drehstrom 380 V, 50/60 Hz, Netzspannungstoleranz ±10 %; Erdungsleiter entspricht internationalen Normen; keine starken elektromagnetischen Störungen im Installationsbereich |
| 2 | Gasquellenvorbereitung | Gasflaschen für O₂, Ar, N₂, H₂ (mit Druckminderventilen); Rohranschlussdurchmesser: Φ6 mm |
| 3 | Gasdruckbereich | 0,30 MPa bis 1,00 MPa (3 kgf bis 10 kgf) |
| • Externer Druckminderer erforderlich, wenn der Druck 1 MPa überschreitet | ||
| • Die Maschine stoppt automatisch und gibt einen Alarm aus, wenn keine Gaszufuhr oder kein Gasdruck vorhanden ist. <0,03 MPa (0,3 kgf) | ||
| 4 | Abgasleitung | Anschluss an den Auslass der Vakuumpumpe (erforderlich für Reinraumanwendungen) |
Produktdetails
HY-AD03 ist ein atmosphärischer direkter Das Plasmareinigungsgerät dient der Oberflächenreinigung, -aktivierung und -modifizierung unter Umgebungsbedingungen. Es zeichnet sich durch konzentrierte Energie bei geringem Behandlungsbedarf aus und verbessert so effektiv die Produkthaftung, Hydrophilie und Bedruckbarkeit. Zudem entfernt es Verunreinigungen wie organische Rückstände, Ölflecken und Oxidschichten von Materialoberflächen.
Die HY-TM500 arbeitet unter Atmosphärendruck ohne Vakuumkammern. Spezielle 3-Achsen-Schienen ermöglichen eine präzise, flächendeckende Bearbeitung. Ausgestattet mit Hardware in Militärqualität und digitaler Steuerung unterstützt sie eine einstellbare Leistung von 0–800 W. Nullpotential-Niedertemperaturplasma schützt Leiterplatten, flexible Leiterplatten und Halbleiterbauteile und führt Oberflächenreinigung, -aktivierung und -modifizierung durch, um die Haftung für Kleben, Drucken und Beschichten zu verbessern. Sie ist bereit für die Inline-Automatisierung in der 3C-, Display-, Halbleiter-, Automobil- und neuen Energiebranche.
Das HY-DC1000 ist mit einer Rotationspistole mit großer Abdeckung und austauschbaren Düsen von 20 bis 80 mm ausgestattet und eignet sich ideal für große, flache Werkstücke wie Leiterplatten in Standardgröße, Elektroden für neue Energiebatterien, Kunststoffkomponenten für die Automobilindustrie und Displayglasscheiben. Es unterstützt eine breitbandig einstellbare Leistung von 0–1000 W, um eine gleichmäßige Plasmaabdeckung großer Oberflächen zu gewährleisten. Dadurch werden organische Verunreinigungen effizient entfernt und Druckfehler sowie Ablösungen der Beschichtung bei der Massenproduktion in Fließbandfertigungslinien vermieden.
Das HY-DD600 verfügt über eine schmale Düse (2–6 mm effektive Breite) und eignet sich ideal für kleinste, empfindliche Bauteile wie Chips, flexible FPC-Leiterplatten und miniaturisierte BGA-Substrate. Der Nullpotential-Niedertemperatur-Plasmastrahl eliminiert die Gefahr von Verbrennungen bei ultradünnen PI/ITO-Materialien. Die kompakte Düse ermöglicht die Bearbeitung enger Spalten und komplexer Mikrostrukturen und ist somit perfekt geeignet für kleine automatische Bond- und Dosieranlagen zur Halbleiterverpackung und Kameramodul-Vorbehandlung.
Die HY-AC500 arbeitet mit einer Rotationsplasmaspritzpistole und verfügt über zwei Steuerungsmodi (manuell und per I/O). Sie ermöglicht die gleichmäßige Reinigung, Aktivierung und Mikroätzung von Leiterplatten, flexiblen Leiterplatten, BGA-Gehäusen und Halbleiterchips. Die Anlage zeichnet sich durch Hardware in Militärqualität, digitale Echtzeitüberwachung und mehrstufige Sicherheitsfunktionen aus. Dieses 1000-W-Analog-Plasma-Schneidgerät findet breite Anwendung in der Vorbehandlung von Halbleitergehäusen, 3C-Elektronik, Displays, Automobilelektronik und der neuen Energiewirtschaft.
Die HY-AC1000H nutzt vakuumfreies Niedertemperatur-Neutralplasma und ist mit anpassbaren Schienen und zwei Rotationspistolen ausgestattet. Mit einer einstellbaren Leistung von 0–1000 W und einer Behandlungsbreite von 20–80 mm reinigt sie Späne schonend und ohne thermische Beschädigung.Die kombinierte physikalische und chemische Trockenreinigung verbessert die Haftung beim Chip-Attach, Drahtbonden und Spritzgießen und reduziert so Delaminationen und Lufteinschlüsse. Das System unterstützt manuelle und E/A-Steuerung mit umfassender Sicherheitsüberwachung und lässt sich in automatische Fertigungslinien für die kontinuierliche Verarbeitung von Substraten, Leadframes und großen FPC-Panels integrieren. Es ermöglicht eine stabile Produktion unter Volllast über lange Zeiträume mit einer Reaktionszeit von unter 0,1 Sekunden.
Die HY-AS1200 ist mit einer motorbetriebenen Rotationsdüse ausgestattet, die eine gleichmäßige Plasmaoberfläche erzeugt. Mit einer Behandlungsbreite von 20–80 mm und einer einstellbaren Leistung von 0 bis 1200 W eignet sie sich ideal für die Vorbehandlung von großflächigen Leadframes und Substraten. Das neutrale Plasma bei Raumtemperatur beschädigt die Chips nicht und entfernt unter Atmosphärendruck organische Rückstände und Oberflächenoxide, um die Haftung für Chipmontage, Drahtbonden und Spritzgießen zu verbessern und gleichzeitig Delaminationen und Lufteinschlüsse zu beseitigen.Ausgestattet mit mehrschichtigen Sicherheitsvorkehrungen und vollständig kompatibel mit automatisierten Produktionslinien, findet dieses Gerät breite Anwendung bei Verpackungs- und Testverfahren für ICs, FPCs und Automobilchips.
Der HY-AD800 verarbeitet empfindliche Chips, Leiterplatten und Kunststoffbauteile sicher und ohne thermische Verformung. Ausgestattet mit einer einstellbaren Leistung von 0–800 W, dualem IO/manuellen Betrieb und umfassenden Sicherheitsfunktionen lässt er sich problemlos in automatisierte Produktionslinien für Oberflächenreinigung, Aktivierung und verbesserte Haftung integrieren. Dadurch ist er ideal für die Halbleiterverpackung, 3C-Elektronik, Automobilindustrie, neue Energien und die LED-Fertigung.
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