Wafer-Bearbeitungsanlagen

Die HY-WT9730 unterstützt Wafer bis zu 12 Zoll. Ausgestattet mit 3 luftgelagerten Schleifspindeln und 4 luftgelagerten Werkstückspindeln, integriert sie Schrupp-, Fein- und Polierprozesse. Der vollständig robotergestützte Workflow übernimmt automatisch Wafertransfer, -bearbeitung, -reinigung und -entnahme; lediglich die manuelle Kassettenzuführung ist erforderlich. Der hochpräzise Z-Achsen-Vorschub sorgt für überragende Wafer-Planheit und beschädigungsfreies Spiegelpolieren, während der robuste Rahmen eine stabile Serienproduktion gewährleistet.

Die HY-WT9230 wurde für die Bearbeitung extrem harter, spröder Halbleitermaterialien bis zu einer Größe von 12 Zoll entwickelt. Ausgestattet mit zwei luftgelagerten Spindeln und einer hochpräzisen Z-Schleifachse ermöglicht sie vollautomatisches Spiegeldünnen mit hoher Effizienz und beschädigungsfreier Bearbeitung. Dank des porösen Vakuumfutters und der ultrafeinen Vorschubsteuerung gewährleistet die Maschine eine hervorragende Planheit und gleichmäßige Schichtdicke beim Dünnen von Halbleiterwafern.

Die HY-IS1000 ist eine Zwei-Stationen-Laserschneid- und Schleifanlage für SiC-Ingots, die Lasermodifikation und Wafer-Delaminierung kombiniert. Sie nutzt einen Ultrakurzpulslaser zur Erzeugung interner Modifikationsschichten in SiC-Ingots für ein sägespurenfreies Wafer-Splitten und erzielt einen hohen Durchsatz mit einer TTV ≤ 1,1 μm. Sie ist eine unverzichtbare Anlage für die Massenproduktion von Halbleitersubstraten der dritten Generation.

HY-SP855 einseitiger Kupferpolierer Diese Maschine eignet sich für präzises Läppen und Polieren von harten, spröden Halbleitermaterialien. Sie verfügt über eine SPS-Touch-Steuerung und einen integrierten Scheibenkonditionierer mit Frequenzumrichter, geschlossener Druckregelung und Wasserkühlung der Platten. Die Planheit der konditionierten Platten erreicht 0,01 mm und gewährleistet so eine stabile und gleichmäßige Bearbeitung für die hochpräzise Substrat-Massenproduktion.

HY-WC615 doppelseitige Wafer-Fasenmaschine ist ausgestattet mit CCD-Vision-Positionierungs- und Online-Dickenmessmodulen, selbstentwickelten mechanischen Kernkomponenten und einem vollautomatischen Be- und Entladesystem und bietet so eine hervorragende Bearbeitungsgenauigkeit und benutzerfreundliche Touch-Bedienung für die Wafer-Fasenbearbeitung.

HY-SW360 wird zum Aufbringen von Verbindungshalbleiter-Wafern auf Keramikplatten vor dem Ausdünnen verwendet. Es zeichnet sich durch präzises, quantitatives Dosieren von Festwachs, unabhängiges Pressen mit Luftzylindern und genaue Temperaturregelung aus und erreicht nach der Montage eine TTV von ≤ 0,005 mm. Bestehend aus mechanischen, pneumatisch-wassergekühlten und elektrischen Steuerungssubsystemen, gewährleistet es eine stabile und hochpräzise Wachsmontage für Wafer-Dünnungsprozesse.

Die HY-ST3005 eignet sich für die hochpräzise Rückseitenverdünnung von harten, spröden Halbleitersubstraten mit einem Durchmesser von 4 bis 12 Zoll. Die Anlage wurde iterativ verbessert, um höchste Genauigkeit und Langzeitstabilität zu gewährleisten. Sie verfügt über hochwertige Kernbaugruppen (hydrostatische Luftlager-Schleifspindel, hochpräzise Waferspindel, hochsteifer Drehtisch mit großem Durchmesser) und einen hohen Automatisierungsgrad für die Massenproduktion von Silizium- und Verbindungshalbleiterwafern.

Die HY-ST3002 verarbeitet 4- bis 12-Zoll-Wafer für das präzise Dünnen und Schleifen harter, spröder Halbleiter. Dank umfassender Modernisierung und ausgereifter Prozesse zeichnet sie sich durch erhöhte Genauigkeit und stabile Langzeitleistung aus. Dazu tragen die optimierte automatische Dünnarchitektur und hochwertige Schlüsselkomponenten bei: hydrostatische, luftgelagerte Schleifspindel, hydrostatische, luftgelagerte Wafer-Haltespindel und ein hochsteifer Drehtisch mit großem Durchmesser.

Die HY-SP910 ist mit einer SPS und einem Touchscreen-Steuerungssystem ausgestattet, das eine einfache Einrichtung, komfortable Bedienung und stabile Leistung ermöglicht. Sie führt hochpräzise einseitige Polierarbeiten an dünnen Bauteilen durch und eignet sich für Halbleitersubstrate (Saphir-, SiC-, Silizium- und Epitaxie-Wafer) sowie für optische Glaswafer, Quarzkristalle, Keramikwafer, Edelstahlwerkstücke und Glasfaserverbinder.