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Die HY-ST3005 eignet sich für die hochpräzise Rückseitenverdünnung von harten, spröden Halbleitersubstraten mit einem Durchmesser von 4 bis 12 Zoll. Die Anlage wurde iterativ verbessert, um höchste Genauigkeit und Langzeitstabilität zu gewährleisten. Sie verfügt über hochwertige Kernbaugruppen (hydrostatische Luftlager-Schleifspindel, hochpräzise Waferspindel, hochsteifer Drehtisch mit großem Durchmesser) und einen hohen Automatisierungsgrad für die Massenproduktion von Silizium- und Verbindungshalbleiterwafern.
Marke :
HYRNUSArtikelnummer :
HY-WT3005Bestellung (Mindestbestellmenge) :
1 SetGarantie :
One-Year Warranty and Lifetime MaintenanceZahlung :
T/TLieferzeit :
7-35 DaysProduktursprung :
ChinaVollautomatische, hochpräzise Wafer-Dünnungsmaschine für die IC-Fertigungslinie
Produkteinführung
Der HY-ST3005 vollautomatische Ultrapräzisions-Wafer-Rückseitenschleifmaschine Prozesse für 4–12 Zoll große, harte und spröde Halbleitersubstrate zur hochpräzisen Rückseitenverdünnung. Die Anlage nutzt das axiale In-Feed-Schleifen für Wafer mit einem Durchmesser von 200–300 mm und verwendet individuell anpassbare 12/15-Zoll-Diamantschleifscheiben. Die Kernstruktur besteht aus zwei hydrostatischen, luftgelagerten Schleifspindeln, drei hochpräzisen Wafer-Trägerspindeln und einem hochsteifen Drehtisch mit großem Durchmesser. Sie ermöglicht vollautomatisches Be- und Entladen sowie die Bearbeitung ultradünner Wafer bis zu 80 µm. Die Standardkonfiguration umfasst eine integrierte Dickenmessung (optional mit berührungsloser NCG-Einheit), bis zu 5 Schleifrezepte, Überlastungsschutz und vollständige Datenaufzeichnung. Drei Touchscreen-LCD-Monitore an Vorder-, linker und rechter Seite ermöglichen eine komfortable und sichere Bedienung mit Echtzeit-Anzeige des Bearbeitungs- und Anlagenstatus.
Produktvorteile
1. Schleifscheibe: Es werden Standard-Diamantschleifscheiben mit 12/15 Zoll verwendet; die Korngröße kann je nach Kundenanforderungen angepasst werden.
2. Schleifmechanismus: Die Ausdünnungseinheit nutzt das axiale Einlaufschleifprinzip und ist kompatibel mit dem Schleifen und Ausdünnen von Wafern mit einem Durchmesser von 200–300 mm.
3. Dickenprüfung: Ausgestattet mit einer präzisen Inline-Messeinheit zur Echtzeit-Überwachung der Waferdicke und zur genauen Steuerung der Dünnung; eine berührungslose NCG-Messeinheit ist optional erhältlich.
4. Prozessfunktionen: Unterstützt bis zu 5 Mahlrezeptsätze, Überlast-Standby und vollständige Datenprotokollierung, um den vielfältigen Prozessanforderungen gerecht zu werden.
5. Mechanische Kernstruktur: Der Kern der Maschine besteht aus 2 hydrostatischen luftgelagerten Schleifspindeln, 3 hochpräzisen Spannfutterspindeln und 1 hochsteifen Drehtisch mit großem Durchmesser.
6. Automatische Handhabung und Bearbeitung ultradünner Wafer: Vollautomatisches Be- und Entladen der Wafer; Fähigkeit zur Bearbeitung ultradünner Wafer bis zu 80 μm.
7. Multi-Area-Touch-HMI: Drei Touchscreen-LCD-Monitore sind an der Vorderseite, links und rechts angebracht und ermöglichen die flexible Bedienung an verschiedenen Stationen. Um Fehlbedienungen zu vermeiden und die Sicherheit zu gewährleisten, kann jeweils nur ein Monitor aktiviert sein. Die Benutzeroberfläche zeigt den Bearbeitungs- und Anlagenstatus in Echtzeit an und ermöglicht eine intuitive Touch-Steuerung.
Anwendungsgebiete
Es ermöglicht präzises Ausdünnen verschiedener harter, spröder Halbleitersubstrate, darunter Silizium, Germanium, Saphir, Indiumphosphid, Siliziumkarbid, Galliumnitrid, Galliumarsenid, Siliziumnitrid und keramische Werkstoffe.
Arbeitsablauf der Ausrüstung
Der vollständige Arbeitsablauf der vollautomatischen Ultrapräzisions-Waferdünnungsmaschine ist in fünf Hauptphasen unterteilt: Vorbereitungsphase, Initialisierungsphase, Aufwärmphase, Verarbeitungsphase und Abschlussphase. Die Hauptaufgaben jeder Phase sind wie folgt:
1. Vorbereitungsphase: Hauptsächlich vorbereitende Arbeiten vor der Verarbeitung: Einschalten der Wasserversorgung, Druckluftversorgung und Stromversorgung sowie Inbetriebnahme der Geräte.
2. Initialisierungsphase Alle Systeme kehren in ihre Ausgangspositionen zurück, einschließlich Manipulator, Ladearm, Reinigungsstation, Positionierbühne und Drehtisch.
3. Aufwärmphase. Ziel ist es, alle Systeme in einen stabilen Betriebszustand zu bringen, einschließlich der Schruppspindel, der Feinschleifspindel, der Spannfutterspindel usw.
4. Vollautomatische Verarbeitungsphase (gleicher Kassettenmodus):
| Schritt | Beschreibung |
| Schritt 1 | Platzieren Sie die Waferkassette A mit den Wafern auf dem Materialtisch. |
| Schritt 2 | Nehmen Sie eine Wafer aus der Waferkassette A. |
| Schritt 3 | Der Manipulator überträgt den Wafer auf den Positioniertisch, wo er ausgerichtet und zentriert wird. |
| Schritt 4 | Der Ladearm-Manipulator nimmt den ausgerichteten Wafer auf und transportiert ihn zur Station A, die zuvor mit einer Bürste gereinigt wurde. |
| Schritt 5 | Der Werkstückdrehtisch dreht sich zur Station C, um mit dem Feinschleifen und Ausdünnen zu beginnen; das Dickenmessgerät misst die Waferdicke online und kompensiert den Zulauf. |
| Schritt 6 | Der Werkstückdrehtisch dreht sich zur Station B, um mit dem Polierprozess zu beginnen; das Dickenmessgerät misst die Waferdicke online und kompensiert den Zulauf. |
| Schritt 7 | Der Arbeitstisch dreht sich um 240° gegen den Uhrzeigersinn und kehrt zur Station A zurück. |
| Schritt 8 | Der Entladearm-Manipulator transportiert den Wafer nach dem Ausdünnen und Polieren zur vorgereinigten Reinigungsstation zum Waschen, Luftblasen und Schleudern. |
| Schritt 9 | Der Roboter nimmt den gereinigten Wafer auf und legt ihn in die Waferkassette auf dem Materialtisch. |
| Schritt 10 | Der Manipulator platziert den Wafer zurück in die Waferkassette A auf dem Materialtisch. Wiederholen Sie die Schritte 2 bis 10, bis die Kassette voll ist. |
| Schritt 11 | Sobald die Waferkassette A voll ist, muss die Kassette manuell ausgetauscht werden. |
| Schritt 12 | Nachdem alle Wafer aus Kassette A entnommen wurden, beginnt der Manipulator mit der Entnahme von Wafern aus Kassette B und wiederholt den oben beschriebenen Verarbeitungsablauf. |
| Zusammenfassung: oDie einzige erforderliche manuelle Intervention besteht im Einsetzen und Austauschen der Waferkassetten. | |
Technischer Parameter
| Artikelname | Parameterwert |
| Modell | HY-ST3005 |
| Schleifscheibendurchmesser (mm) | 200–300 mm (Max. 300 mm für diese Serie) |
| Schleifwaferdicke (μm) | Max. 1800 |
| Ausdünnungsmaschinentyp | Doppelspindel, 3 Arbeitsstationen + Drehtisch |
| Betriebsmodus | Vollautomatisches Mahlen / Manuelles Mahlen (Kassette-zu-Kassette) |
| Schleifverfahren | Waferrotation, axiales Einlaufschleifen (Einlauf) |
| Schleifspindelleistung (kW) | 11 |
| Schleifspindeltyp | Luftspindel (Endrundlauf: 0,1 μm) |
| Drehzahl der Schleifspindel (U/min) | 500–3000 (Unabhängige Drehzahlregelung für zwei Spindeln) |
| Minimale Steuereinheit der Schleifspindeldrehzahl | 1 |
| Effektiver Z-Achsen-Hub (mm) | 100 (mit Ursprungsfunktion) |
| Spindelvorschubmotorleistung (kW) | 0,75 |
| Eilganggeschwindigkeit der Z-Achse (μm/s) | Max. 5000 |
| Minimale Bewegungsauflösung entlang der Z-Achse (μm) | 0,1 |
| Vorschubgeschwindigkeit beim Schleifen in Z-Richtung (μm/s) | 0,1–80 |
| Durchmesser der Diamantschleifscheibe (mm) | 300 |
| Radpflegefunktion | Manuelle Platzierung der Verbandplatte, automatisches Verbandprogramm |
| Berechnung des Schleifscheibenverschleißes | Automatische Berechnung und Anzeige der geschätzten verarbeitbaren Menge; Alarm bei unzureichender Anzahl verbleibender Zähne |
| Dickenmessbereich (μm) | 1800 |
| Dickenmessauflösung (μm) | 0,1 |
| Wiederholbarkeit der Dickenmessung (μm) | 0,25 |
| Dickenmessmethode | Kontaktmessung |
| Spannfuttertyp | Mikroporöser Keramik-Spanntisch |
| Wafer-Klemmverfahren | Vakuumadsorption |
| Drehzahl der Futterspindel (U/min) | 0–300 (Unabhängige Drehzahlregelung für drei Spindeln) |
| Effektive Futterdicke (mm) | 5 |
| Spannfutter-Spindeltyp | Mechanische Spindel (Rundlaufgenauigkeit: 1,5 μm) Luftspindel (Endrundlauf: 0,1 μm) |
| Methode zur Reinigung des Spannfutters | Bürsten und Ölen der Steinreinigung während der Rückspülung des Tisches mit Wasser/Luft |
| Wafer-Prozessablauf | Gleicher Kassettenfluss |
| Waferreinigung | Reinigung und Trocknung mittels Wasser-Luft-Zweistoffdüsen |
| Wafer-Positionierungsmethode | 6-Backen-Spannpositionierung |
| Ultimativer Vakuumdruck (kPa) | -88 |
| TTV (μm) | ≤3, gemessen an 5 Punkten 5 mm vom Waferrand entfernt (12"-Si-Wafer) ≤7, gemessen an 5 Punkten 5 mm vom Waferrand entfernt (12"-SiC-Wafer) |
| WTV (μm) | ≤±3 (12"-Si-Wafer) |
| Oberflächenrauheit Ra (μm) | ≤0,02 (Si: Diamantscheibenkorngröße 2000#) ≤0,3 (Saphir: Diamantschleifscheibe Körnung 500#) ≤0,003 (SiC: Diamantschleifscheibenkorngröße 8000#) |
| Gesamtleistung der Anlage (kW) | 30 |
| Gesamtgewicht der Ausrüstung (kg) | Ca. 5500 |
| Gesamtabmessungen (L×B×H mm) | 3500×1300×2000 |
Sicherheit und Schutz
| NEIN. | Artikel | Beschreibung |
| 1 | EMO-Tastenkonfiguration | Neben jedem Touchscreen des Geräts befindet sich mindestens eine EMO-Taste. |
| 2 | Leckageschutz | Das Gerät ist mit Sicherheitsschutzfunktionen gegen Wasser- und Stromaustritt ausgestattet. |
| 3 | Wassersystemalarm | Alarm bei Wasserunterbrechung, unzureichendem Wasserdruck oder zu hoher Wassertemperatur. |
| 4 | Schutz der Luftversorgung | Alarm und Maschinenabschaltung bei unterbrochener Luftzufuhr oder unzureichendem Luftdruck. |
| 5 | Vakuumalarm | Alarm wegen unzureichendem Vakuumdruck. |
| 6 | Überlastschutz | Überlastungswartefunktion. |
| 7 | Verriegelungsschutz | Die Verriegelungsfunktion ist an der Tür oder Abdeckung des Getriebes vorhanden. Das Öffnen der Tür löst einen Alarm aus und stoppt das Getriebe. |
| 8 | Wafer-Fallalarm | Alarm bei Waferverlust während der Übertragung. |
| 9 | Kassettenpositionsalarm | Alarm bei falsch platzierten oder falsch positionierten Be- und Entladekassetten. |
Standortausstattung und unterstützende Anforderungen
| Standorteinrichtungen (Zusatzausrüstung) Vom Kunden bereitgestelltes Zubehör | Artikel | Spezifikation |
| Stromversorgung | Maschinenspannung: AC 380 V ±10 %, Stromstärke: 55 A, Leistung: 30 kW | |
| Umweltanforderungen | Frei von explosiven, brennbaren und korrosiven Gasen; staubfreier Arbeitsplatz mit konstanter Temperatur von 26 °C; 40–85 % relative Luftfeuchtigkeit | |
| Luftzufuhr | Luftdruck: 0,6–0,8 MPa, Taupunkt: -40 °C, Reststaubgehalt ≤ 0,1 mg/m³, Restölgehalt ≤ 0,01 mg/m³, Durchflussrate > 600 l/min, Rohrdurchmesser: ø 16 mm | |
| Spindelkühlwasserversorgung | Der Kühler wird mit der Maschine geliefert. | |
| Einlasswassertemperatur: 20–22 °C, Umwälzwasserdurchflussrate: 5–15 l/min | ||
| Kühlwasserdruck: 0,2–0,3 MPa, Rohrdurchmesser: ø12 mm | ||
| Vakuumversorgung | Die Vakuumpumpe wird mit der Maschine geliefert. | |
| -80 kPa ~ -90 kPa, Rohrdurchmesser: ø25 mm | ||
| Mahlwasserversorgung | Reinstwasser, Wasserdruck: 0,3–0,4 MPa, Rohrdurchmesser: ø25 mm | |
| Entwässerungsanforderungen | Organisches Abwasser, Rohrdurchmesser: ø52 mm | |
| Abgas- und Rauchabsaugung | Durchflussrate >4 m³/min, Rohrdurchmesser: 2 × ø76 mm |
Produktdetails
Die HY-WT9330 ist mit einer luftgelagerten Schleifspindel und zwei luftgelagerten Werkstückspindeln ausgestattet. Sie kann verschiedene ultraharte, spröde und schwer zu schleifende Substrate bis zu 12 Zoll bearbeiten und ermöglicht so ein hocheffizientes, beschädigungsfreies und hochpräzises Spiegelschleifen mit herausragender Dickengenauigkeit. Sie eignet sich für das Rückseiten-Dünnschleifen aller Arten von Chipwafern.
Die HY-WT9530 ist mit zwei luftgelagerten Spindeln und drei Vakuumspanntischen für harte, spröde Substrate bis zu 8 Zoll ausgestattet. Die Bediener müssen lediglich die Kassetten manuell einlegen; die Maschine führt vollautomatische Zyklen durch, die das Grob- und Feinschleifen, Reinigen und die Rückgewinnung umfassen. Die nach dem Schleifen erzielte TTV ≤ 1,5 μm mit exzellenter Ebenheit und Oberflächenrauheit eignet sich für die Rückseitenverdünnung verschiedener Halbleiterwafer.
Die HY-WT9730 unterstützt Wafer bis zu 12 Zoll. Ausgestattet mit 3 luftgelagerten Schleifspindeln und 4 luftgelagerten Werkstückspindeln, integriert sie Schrupp-, Fein- und Polierprozesse. Der vollständig robotergestützte Workflow übernimmt automatisch Wafertransfer, -bearbeitung, -reinigung und -entnahme; lediglich die manuelle Kassettenzuführung ist erforderlich. Der hochpräzise Z-Achsen-Vorschub sorgt für überragende Wafer-Planheit und beschädigungsfreies Spiegelpolieren, während der robuste Rahmen eine stabile Serienproduktion gewährleistet.
Die HY-WT9230 wurde für die Bearbeitung extrem harter, spröder Halbleitermaterialien bis zu einer Größe von 12 Zoll entwickelt. Ausgestattet mit zwei luftgelagerten Spindeln und einer hochpräzisen Z-Schleifachse ermöglicht sie vollautomatisches Spiegeldünnen mit hoher Effizienz und beschädigungsfreier Bearbeitung. Dank des porösen Vakuumfutters und der ultrafeinen Vorschubsteuerung gewährleistet die Maschine eine hervorragende Planheit und gleichmäßige Schichtdicke beim Dünnen von Halbleiterwafern.
Die HY-IS1000 ist eine Zwei-Stationen-Laserschneid- und Schleifanlage für SiC-Ingots, die Lasermodifikation und Wafer-Delaminierung kombiniert. Sie nutzt einen Ultrakurzpulslaser zur Erzeugung interner Modifikationsschichten in SiC-Ingots für ein sägespurenfreies Wafer-Splitten und erzielt einen hohen Durchsatz mit einer TTV ≤ 1,1 μm. Sie ist eine unverzichtbare Anlage für die Massenproduktion von Halbleitersubstraten der dritten Generation.
HY-WC615 doppelseitige Wafer-Fasenmaschine ist ausgestattet mit CCD-Vision-Positionierungs- und Online-Dickenmessmodulen, selbstentwickelten mechanischen Kernkomponenten und einem vollautomatischen Be- und Entladesystem und bietet so eine hervorragende Bearbeitungsgenauigkeit und benutzerfreundliche Touch-Bedienung für die Wafer-Fasenbearbeitung.
Die HY-ST3002 verarbeitet 4- bis 12-Zoll-Wafer für das präzise Dünnen und Schleifen harter, spröder Halbleiter. Dank umfassender Modernisierung und ausgereifter Prozesse zeichnet sie sich durch erhöhte Genauigkeit und stabile Langzeitleistung aus. Dazu tragen die optimierte automatische Dünnarchitektur und hochwertige Schlüsselkomponenten bei: hydrostatische, luftgelagerte Schleifspindel, hydrostatische, luftgelagerte Wafer-Haltespindel und ein hochsteifer Drehtisch mit großem Durchmesser.
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