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Die HY-ST3002 verarbeitet 4- bis 12-Zoll-Wafer für das präzise Dünnen und Schleifen harter, spröder Halbleiter. Dank umfassender Modernisierung und ausgereifter Prozesse zeichnet sie sich durch erhöhte Genauigkeit und stabile Langzeitleistung aus. Dazu tragen die optimierte automatische Dünnarchitektur und hochwertige Schlüsselkomponenten bei: hydrostatische, luftgelagerte Schleifspindel, hydrostatische, luftgelagerte Wafer-Haltespindel und ein hochsteifer Drehtisch mit großem Durchmesser.
Marke :
HYRNUSArtikelnummer :
HY-ST3002Bestellung (Mindestbestellmenge) :
1 SetGarantie :
One-Year Warranty and Lifetime MaintenanceZahlung :
T/TLieferzeit :
7-35 DaysProduktursprung :
ChinaVertikale Einstationen-Wafer-Dünnungsmaschine für Halbleitersilizium
Produkteinführung
Der HY-ST3002 Vertikale Einzelstations-Wafer-DünnungsmaschineFührt präzise Dünnschnitte für harte, spröde Halbleiterwafer mit Durchmessern von 4 bis 12 Zoll durch. Vollständig optimiert mit hydrostatischen Luftlagerspindeln und einem hochsteifen Drehtisch, bietet sie höchste Genauigkeit und Stabilität.
Die Maschine verwendet anpassbare 12-Zoll-Diamantscheiben und In-Feed-Schleifen für die Bearbeitung von Einzel- und Mehrfachwafern mit Durchmessern von 50 bis 300 mm. Zur Standardausstattung gehören die Inline-Dickenmessung, mehrstufige Schleifprogramme, Datenprotokollierung und Zweistoffreinigung. Optionale Module umfassen berührungslose NCG-Messung, Bürstenreinigung, Abrichtvorrichtung für die Schleifscheiben und das Anheben von 12-Zoll-Ringen. Anwender können zwischen vibrationsarmen Luftlagerspindeln und kostengünstigen mechanischen Spindeln mit variabler Frequenzumrichter-Drehzahlregelung wählen. Ausgestattet mit einem LCD-Touchpanel und einer Servo-Gewindespindel mit geschlossenem Regelkreis zur Einstellung der Vorschubgeschwindigkeit, ist die Maschine einfach zu bedienen und flexibel an verschiedene Prozesse anpassbar.
Produktvorteile
1. Kundenspezifische Schleifscheibe: Standard-Diamantscheibe mit 12 Zoll Durchmesser, deren Körnung an die Kundenprozesse angepasst wird.
2. Breites Wafer-Kompatibilitätsspektrum: Die axiale Schleifkonstruktion mit Zuführung unterstützt Wafer mit einem Durchmesser von Φ50 bis 300 mm für die gleichzeitige Dünnung einzelner oder mehrerer Wafer.
3. Präzise Dickenüberwachung: Standardmäßiges Inline-Dickenmessgerät zur Echtzeit-Dickenkontrolle; optionale berührungslose NCG-Messeinheit.
4. Flexibles Prozessmanagement: Bis zu 5 editierbare Mahlrezepte, Überlastschutz und vollständige Datenprotokollierung für verschiedene Prozesse.
5. Wafer-Rissvermeidung: Optionales 12-Zoll-Ringhebesystem lädt laminierte Ringe und hebt sie nach der Bearbeitung automatisch an, um Waferbrüche zu vermeiden.
6. Zwei Reinigungslösungen: Standardmäßige Zweiflüssigkeitsreinigung; optionale Bürstenreinigung zur Nachreinigung der Wafer nach dem Mahlen.
7. Automatisches Abrichtmodul: Ein optionales automatisches Abrichtmodul hält die Felgenschärfe gemäß voreingestellten Parametern aufrecht.
8. Auswahl der Spindel: Wahlweise vibrationsarme, dehnungsarme Luftlagerspindel oder kostensparende mechanische Spindel; stufenlose Drehzahlregelung mit variabler Frequenz über HMI.
9. Benutzerfreundliches Touch-HMI: Der LCD-Touchscreen zeigt den Maschinen- und Prozessstatus in Echtzeit an und ermöglicht so eine einfache Bedienung und Wartung.
10. Präzisionsvorschub im geschlossenen Regelkreis: Servogesteuerter, vollständig geschlossener Spindel- und Schienenantrieb mit einstellbarer Schleifvorschubgeschwindigkeit für verschiedene Wafermaterialien.
Anwendungsgebiete
Es wird hauptsächlich zum präzisen Ausdünnen harter und spröder Halbleitermaterialien wie Saphir, Siliziumwafer, Germaniumwafer, Siliziumkarbid, Galliumnitrid, Galliumarsenid, Siliziumnitrid und Keramik verwendet.
Detaillierte Ausrüstungszusammensetzung
| Kategorie | Komponente | Marke/Spezifikation |
| Mechanische Struktur | Luftspindel (Spezialkomponente) | Internes Patent (Kernpatent) |
| Wafer-Spannspindel | Internes Patent (Kernpatent) | |
| Linearführung | THK / HIWIN / Dinghan | |
| Kugelgewindetrieb | THK / HIWIN / Dinghan | |
| Wassereinlass-Durchflussregelventil | SMC / CKD / Airtac | |
| Dickenmessgerät | MARPOSS / PRECITEC / KEYENCE | |
| Elektrisches Steuerungssystem | Industrie-PC (IPC) | Advantech / Panasonic / Siemens |
| Touch-Screen | Weinview / Kinco / Advantech | |
| Fehlerstromschutzschalter | Chint / Schneider | |
| Schaltnetzteil | Chint / Schneider | |
| Pneumatisches System | Luftzylinder | SMC / CKD / Airtac |
| Druckregelung | SMC / CKD / Airtac | |
| Druckregelung | SMC / CKD / Airtac | |
| Druckanzeige | SMC / CKD / Airtac | |
| Magnetventil | SMC / CKD / Airtac |
Arbeitsprozess der Ausrüstung
Der gesamte Arbeitsprozess der vertikalen Einstationen-Ausdünnungsmaschine ist in 5 Hauptphasen unterteilt: Vorbereitungsphase, Initialisierungsphase, Vorwärmphase, Verarbeitungsphase und Abschlussphase.
1. Vorbereitungsphase
Diese Phase umfasst die Vorbereitung vor dem Betrieb: Wasserzufuhr, Druckluft und Stromversorgung einschalten, dann das Gerät starten.
2. Initialisierungsphase
Alle Systeme werden in ihre Ausgangsposition zurückgesetzt, einschließlich der Rückkehr der Schleifspindel und des Wafer-Spannfutter-Drehtisches in ihre Ausgangspositionen.
3. Vorheizphase
In dieser Phase werden alle beweglichen Systeme (einschließlich der Schleifspindel und der Wafer-Spannspindel) stabilisiert, um eine gleichbleibende Betriebsleistung zu gewährleisten.
4. Verarbeitungsphase (Detaillierte Schritte)
| Schritt | Beschreibung |
| Schritt 1 | Verfahrenstechniker legen die Verarbeitungstechnologie fest, modifizieren oder wählen das Prozessrezept aus. |
| Schritt 2 | Die Bediener platzieren den ringmontierten Wafer auf dem Arbeitsdrehtisch, richten ihn am Positionierstift aus und aktivieren das Vakuum, um den Wafer zu fixieren. |
| Schritt 3 | Die Bediener drücken den Startknopf; die Sicherheitstür schließt sich automatisch, und die Anlage beginnt mit der automatischen Verarbeitung. |
| Schritt 4 | Nach der Bearbeitung wird die Anlage zurückgesetzt und gestoppt. Die Bediener entnehmen den Wafer und wiederholen Schritt 3 für die weiteren Wafer. |
| Schritt 5 | Prüfen Sie die Waferdicke nach der Entnahme manuell. Legen Sie qualifizierte (OK) Wafer in die Materialkassette und nicht konforme (NG) Wafer in die Ausschusskassette. |
| Schritt 6 | Wiederholen Sie die Schritte 1 bis 4, um die Ausdünnungsvorgänge an den nachfolgenden Wafern durchzuführen. |
Technischer Parameter
| Parametername | Parameterwert |
| Modell | HY-ST 3002 |
| Schleifscheibendurchmesser (mm) | Max. 300 |
| Maximale Waferdicke beim Schleifen (mm) | Max. 50 |
| Ausdünnungsmaschinentyp | Einstationen-Drehtisch mit einer Spindel |
| Betriebsmodus | Halbautomatischer Mahlmodus (Manuelles Be- und Entladen) |
| Schleifverfahren | Waferrotation, axiales Einlaufschleifen (Einlauf) |
| Schleifspindelleistung (kW) | 11 (Luftgelagerte Spindel) 15 (Mechanische Spindel) |
| Schleifspindeltyp | Luftgelagerte Spindel / Mechanische Spindel |
| Drehzahl der Schleifspindel (U/min) | 500–3000 |
| Minimaler Regelschritt der Schleifspindeldrehzahl | 1 |
| Effektiver Hub der Z-Achse (mm) | 100 (mit Ursprungsfunktion) |
| Spindelvorschubmotorleistung (kW) | 0,75 |
| Vorschubgeschwindigkeit beim Schleifen entlang der Z-Achse (μm/s) | 0,1 bis 80 |
| Eilganggeschwindigkeit der Z-Achse (μm/s) | Max. 5000 |
| Minimale Bewegungsauflösung der Z-Achse (μm) | 0,1 |
| Durchmesser der Diamantschleifscheibe (mm) | 300 |
| Ankleidefunktion | Automatische Felgenpflege (optional) |
| Dickenmessauflösung (μm) | 0,1 |
| Wiederholbarkeit der Dickenmessung (μm) | 0,5 |
| Dickenmessbereich (μm) | 0~5000 (Andere Bereiche je nach Wafer-Anforderungen verfügbar) |
| Dickenmessmethode | Kontaktmessung Berührungslose Messung NCG (Optional: Messbereich je nach Waferanforderungen wählbar; misst nur die tatsächliche Waferdicke und schließt Einflüsse von Prozessschichten wie Haftklebstoff, Haftwachs und Folien aus) |
| Spannwerktisch-Typ | Mikroporöser Keramik-Spannfutter |
| Wafer-Klemmverfahren | Vakuumadsorption |
| Ringspezifikation | 12 Zoll (optional) |
| Ringhebevorrichtung | Optional |
| Drehzahl der Wafer-Spannspindel (U/min) | 0–300 |
| Methode zur Reinigung des Spannfutters | Manuelle Reinigung (automatische Reinigung optional) |
| Ultimativer Vakuumdruck (kPa) | -88 |
| TTV (μm) | ≤3 (Gemessen 5 mm vom Waferrand entfernt bei 12-Zoll-Si-Wafern, 5-Punkt-Dickenmessung) ≤7 (Gemessen 5 mm vom Waferrand entfernt bei 12-Zoll-SiC-Wafern, 5-Punkt-Dickenmessung) |
| Wafer-zu-Wafer-Dickenvariation (μm) | ≤±3 (Für 12-Zoll-Si-Wafer) |
| Oberflächenrauheit Ra (μm) | ≤0,02 (Si: Diamantschleifscheibe, Körnung 2000#) ≤0,3 (Saphir: Diamantschleifscheibe Körnung 500#) ≤0,003 (SiC: Diamantschleifscheibe Körnung 8000#) |
| Gesamtleistung der Anlage (kW) | 17/21 |
| Gesamtgewicht der Ausrüstung (kg) | Ca. 2600 |
| Gesamtabmessungen (L×B×H mm) | 1520 × 1150 × 1930 mm |
Produktdetails
Die HY-WT9330 ist mit einer luftgelagerten Schleifspindel und zwei luftgelagerten Werkstückspindeln ausgestattet. Sie kann verschiedene ultraharte, spröde und schwer zu schleifende Substrate bis zu 12 Zoll bearbeiten und ermöglicht so ein hocheffizientes, beschädigungsfreies und hochpräzises Spiegelschleifen mit herausragender Dickengenauigkeit. Sie eignet sich für das Rückseiten-Dünnschleifen aller Arten von Chipwafern.
Die HY-WT9530 ist mit zwei luftgelagerten Spindeln und drei Vakuumspanntischen für harte, spröde Substrate bis zu 8 Zoll ausgestattet. Die Bediener müssen lediglich die Kassetten manuell einlegen; die Maschine führt vollautomatische Zyklen durch, die das Grob- und Feinschleifen, Reinigen und die Rückgewinnung umfassen. Die nach dem Schleifen erzielte TTV ≤ 1,5 μm mit exzellenter Ebenheit und Oberflächenrauheit eignet sich für die Rückseitenverdünnung verschiedener Halbleiterwafer.
Die HY-WT9730 unterstützt Wafer bis zu 12 Zoll. Ausgestattet mit 3 luftgelagerten Schleifspindeln und 4 luftgelagerten Werkstückspindeln, integriert sie Schrupp-, Fein- und Polierprozesse. Der vollständig robotergestützte Workflow übernimmt automatisch Wafertransfer, -bearbeitung, -reinigung und -entnahme; lediglich die manuelle Kassettenzuführung ist erforderlich. Der hochpräzise Z-Achsen-Vorschub sorgt für überragende Wafer-Planheit und beschädigungsfreies Spiegelpolieren, während der robuste Rahmen eine stabile Serienproduktion gewährleistet.
Die HY-WT9230 wurde für die Bearbeitung extrem harter, spröder Halbleitermaterialien bis zu einer Größe von 12 Zoll entwickelt. Ausgestattet mit zwei luftgelagerten Spindeln und einer hochpräzisen Z-Schleifachse ermöglicht sie vollautomatisches Spiegeldünnen mit hoher Effizienz und beschädigungsfreier Bearbeitung. Dank des porösen Vakuumfutters und der ultrafeinen Vorschubsteuerung gewährleistet die Maschine eine hervorragende Planheit und gleichmäßige Schichtdicke beim Dünnen von Halbleiterwafern.
Die HY-IS1000 ist eine Zwei-Stationen-Laserschneid- und Schleifanlage für SiC-Ingots, die Lasermodifikation und Wafer-Delaminierung kombiniert. Sie nutzt einen Ultrakurzpulslaser zur Erzeugung interner Modifikationsschichten in SiC-Ingots für ein sägespurenfreies Wafer-Splitten und erzielt einen hohen Durchsatz mit einer TTV ≤ 1,1 μm. Sie ist eine unverzichtbare Anlage für die Massenproduktion von Halbleitersubstraten der dritten Generation.
HY-WC615 doppelseitige Wafer-Fasenmaschine ist ausgestattet mit CCD-Vision-Positionierungs- und Online-Dickenmessmodulen, selbstentwickelten mechanischen Kernkomponenten und einem vollautomatischen Be- und Entladesystem und bietet so eine hervorragende Bearbeitungsgenauigkeit und benutzerfreundliche Touch-Bedienung für die Wafer-Fasenbearbeitung.
Die HY-ST3005 eignet sich für die hochpräzise Rückseitenverdünnung von harten, spröden Halbleitersubstraten mit einem Durchmesser von 4 bis 12 Zoll. Die Anlage wurde iterativ verbessert, um höchste Genauigkeit und Langzeitstabilität zu gewährleisten. Sie verfügt über hochwertige Kernbaugruppen (hydrostatische Luftlager-Schleifspindel, hochpräzise Waferspindel, hochsteifer Drehtisch mit großem Durchmesser) und einen hohen Automatisierungsgrad für die Massenproduktion von Silizium- und Verbindungshalbleiterwafern.
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