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Halbautomatische Wachsmontagemaschine für Silizium- und Verbindungshalbleiterwafer

HY-SW360 wird zum Aufbringen von Verbindungshalbleiter-Wafern auf Keramikplatten vor dem Ausdünnen verwendet. Es zeichnet sich durch präzises, quantitatives Dosieren von Festwachs, unabhängiges Pressen mit Luftzylindern und genaue Temperaturregelung aus und erreicht nach der Montage eine TTV von ≤ 0,005 mm. Bestehend aus mechanischen, pneumatisch-wassergekühlten und elektrischen Steuerungssubsystemen, gewährleistet es eine stabile und hochpräzise Wachsmontage für Wafer-Dünnungsprozesse.

  • Marke :

    HYRNUS
  • Artikelnummer :

    HY-SW360
  • Bestellung (Mindestbestellmenge) :

    1 Set
  • Garantie :

    One-Year Warranty and Lifetime Maintenance
  • Zahlung :

    T/T
  • Lieferzeit :

    7-35 Days
  • Produktursprung :

    China
  • Halbautomatische Wachsmontagemaschine für IC-Bonding und Silizium-Halbleiterwafer

     

    Produkteinführung

    HY-SW360 Halbautomatische WachseinbettungsmaschineFührt das Waferbonden auf Keramikträger als Vorprozess für das einseitige Wafer-Dünnen durch.

    Das System nutzt ein Festwachsschmelzverfahren mit präziser Wachsdosierung von ±0,02 g, kombiniert mit unabhängiger Luftzylinderkompression und zwei Heiz-/Kühlplattformen mit präziser, geschlossener Temperaturregelung. Die Ebenheit der fertigen Montage erreicht einen TTV-Wert von ≤ 5 μm. Die Anlage ist für 4-Zoll- und 6-Zoll-Wafer ausgelegt, verfügt über eine zentrale SPS-Steuerung und besteht aus integrierten mechanischen, pneumatisch-wassergekühlten und elektrischen Steuerungssubsystemen, die einen stabilen Langzeitbetrieb und eine gleichbleibend hohe Präzision der Wachsmontage beim Wafer-Rückseitenschleifen gewährleisten.

     

    Produktvorteile

    1.Verwendet das Festwachsschmelzverfahren für eine genaue und quantitative Wachsdosierung.

    2.Das Heiz- und Kühlfutter ist mit einem Präzisionsheiz- und automatischen Kühlsystem ausgestattet, um die Temperatur der Futteroberfläche genau zu steuern.

    3.Verwendet unabhängige Zylinderpressung mit präziser Luftdruckregelung, was eine genaue Kontrolle der Wachsschichtdicke ermöglicht.

    4.TTV nach der Montage ≤ 0,005 mm.

     

    Anwendungsgebiete

    Diese Anlage wird hauptsächlich zum Aufbringen von Wafern wie GaN, GaAs, Saphir und SiC auf die Oberfläche von Keramikträgern vor dem einseitigen Dünnen verwendet.

     

    Wichtige Systeme der Ausrüstung

    SystemkategorieKomponenteSpezifikation / Marke
    Mechanische StrukturBlechVierkantrohr 60×60×5 mm nach nationalem Standard + Außenrahmen mit industrietauglicher Einbrennlackierung
    Teile45# Stahl mit Hartchrombehandlung / Edelstahl 304 / AL6061 mit Anodisierung
    Pneumatischer DruckhaltemechanismusEigene Fertigung
    HeizstufenmechanismusEigene Fertigung
    TransfermechanismusEigene Fertigung
    LinearführungTHK / HIWIN / TBI
    Elektrisches SteuerungssystemSPSPanasonic / Mitsubishi / Delta
    Touch-ScreenWeinview / Weintek / Advantech
    StromschutzFehlerstromschutzschalter (Mingwei / Schneider)
    GleichstromversorgungSchaltnetzteil (Mingwei / Schneider)
    Pneumatisches SystemLuftzylinderSMC / CKD / FESTO
    DruckregelungSMC / CKD / FESTO
    DruckregelungSMC / CKD / FESTO
    DruckanzeigeSMC / CKD / FESTO
    MagnetventilSMC / CKD / FESTO

     

    Technischer Parameter

    ParameternameSpezifikation
    ModellHY-SW360
    Anwendbare Wafergröße4 Zoll / 6 Zoll
    Saugroboter-Hub450 mm
    SaugroboterachsenanzahlEinachsig (3-Achs-Ausführung vorbehalten)
    Genauigkeit der Neupositionierung des Saugroboters±0,05 mm
    Vakuumdruckbereich des Saugroboters-70 ~ -90 kPa
    Keramische TrägerdimensionΦ360 × 15 mm
    Lebensdauer von festem Wachs350 Waffeln pro Wachsstäbchen
    Temperaturregelbereich des Wachsspenders40 ~ 130
    Betriebstemperatur des Wachsspenders100
    Wachsdosiergenauigkeit±0,02 g
    Genauigkeit der Neupositionierung des Wachsspenders±0,05 mm
    Aufheizzeit der Heizplatte3 Minuten
    Abkühlzeit der Heizplatte3 Minuten
    Temperaturregelbereich der Heizplatte60 ~ 130
    Präzise Temperaturregelung der Heizplatte±0,5
    Presszylinderbelastung100 ~ 1000 kg bei 0,6 MPa ±1 % FS
    Gleichmäßigkeit der WachsschichtTTV ≤ 5 μm
    Allgemeine Luftversorgung0,4–0,7 MPa (trocken und ölfrei)
    HauptsteuerungssystemSPS
    GesamtstromverbrauchCa. 7 kW
    Gesamtgewicht der Maschineca. 1000 kg
    Gesamtabmessungen (L×B×H, mm)1550×1550×1900 (ohne Höhe der dreifarbigen Kontrollleuchte)
     

    Standortanforderungen

    KategorieArtikelSpezifikation
    Standortausstattung (Hilfsausrüstung)StromversorgungMaschinenspannung: AC 220 V ± 10 %, Stromstärke: 20 A, Leistung: 1,2 kW
    UmweltanforderungenWerkstatttemperatur: 15°C-25°C, relative Luftfeuchtigkeit: ≤80%
    Luftzufuhr0,4–0,6 MPa, Durchflussrate >20 l/min, Rohrdurchmesser: Φ12 mm
    KühlwasserversorgungEinlasswassertemperatur: 3–22 °C, Umwälzwasserdurchfluss: 15–30 l/min, Umwälzwasserversorgungsdruck: 0,2 MPa

    Produktdetails

     

    Wafer Mounting Machine

     

     

     

     

     

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Kontaktieren Sie uns :allen@hyrnus.com