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Die HY-WT9530 ist mit zwei luftgelagerten Spindeln und drei Vakuumspanntischen für harte, spröde Substrate bis zu 8 Zoll ausgestattet. Die Bediener müssen lediglich die Kassetten manuell einlegen; die Maschine führt vollautomatische Zyklen durch, die das Grob- und Feinschleifen, Reinigen und die Rückgewinnung umfassen. Die nach dem Schleifen erzielte TTV ≤ 1,5 μm mit exzellenter Ebenheit und Oberflächenrauheit eignet sich für die Rückseitenverdünnung verschiedener Halbleiterwafer.
Marke :
HYRNUSArtikelnummer :
HY-WT9530Bestellung (Mindestbestellmenge) :
1 SetGarantie :
One-Year Warranty and Lifetime MaintenanceZahlung :
T/TLieferzeit :
7-35 DaysProduktursprung :
ChinaVollautomatische Wafer-Schleifmaschine mit luftgelagerter Spindel und Spanntisch
Produkteinführung
HY-WT9530 Vollautomatischer Waffelmahler Ausgestattet mit zwei 9,5-kW-Luftlager-Schleifspindeln, drei Werkstück-Luftlagerspindeln und porösen Vakuumspanntischen, bearbeitet die Anlage harte, spröde Substrate bis zu 8 Zoll Durchmesser. Ihre maximale mechanische Werkstückkapazität beträgt Ø 300 mm. Die Bediener müssen lediglich die Kassetten manuell einlegen; mehrere Roboterarme übernehmen automatisch Positionierung, Schrupp- und Feinschleifen, Schleuderreinigung und Entladung für eine kontinuierliche, mannlose Produktion. Die Schleif-Z-Achse verfügt über einen Verfahrweg von 120 mm mit einem minimalen Vorschub von 0,1 µm für eine stabile Dickenkontrolle. Die Wafer-TTV nach dem Schleifen beträgt ≤ 1,5 µm, die Dickenabweichung zwischen den Wafern ± 3 µm und die Oberflächenrauheit Ra < 10 nm. Dies ermöglicht eine hervorragende Planheit und Oberflächengüte beim Rückseiten-Dünnen verschiedener Halbleiterwafer.
Produktanwendung
Die Maschine bearbeitet Substrate bis zu einem Durchmesser von 300 mm mechanisch und verarbeitet ultraharte, spröde Materialien wie SiC, LN, LT und Saphir innerhalb von 8 Zoll. Sie wird häufig für das präzise Ausdünnen der Rückseite von Halbleiterwafern eingesetzt und eignet sich für die Massenproduktion von Halbleitern mit großer Bandlücke und optoelektronischen Materialien.
Maschinenstrukturdiagramm
Maschinenbetriebsprozess
| Schritt | Arbeitsschritte |
| 1 | Die Wafer manuell in die Kassette einlegen. |
| 2 | Der Roboterarm entnimmt die Wafer aus der Kassette und transportiert sie zur Ausrichtungsstation. |
| 3 | Arm T1 nimmt Wafer von der Ausrichtungsstation auf und platziert sie auf dem Chuck-Tisch. |
| 4 | Die Wafer werden einem Z2-Grobschliff und einem Z1-Feinschliff unterzogen; Arm T2 transportiert die Wafer vom Spanntisch zur Rotationsreinigungsstation |
| 5 | Der Roboterarm entnimmt die Wafer der Reinigungsstation und legt sie zurück in die Kassette, um den gesamten Prozess zu wiederholen. |
Spezifikationen
| NEIN. | Artikel | Parameter |
| 1 | Maximale Werkstückgröße | Ø300 mm |
| 2 | Luftgelagerte Schleifspindel | Menge: 2 |
| Leistung: 9,5 kW | ||
| Drehzahl: 1000–4000 U/min | ||
| 3 | Werkstück-Luftlagerspindel | Menge: 3 |
| Drehzahl: 10–300 U/min | ||
| 4 | Schleifen der Z-Achse | Hub: 120 mm |
| Vorschubgeschwindigkeit beim Schleifen: 0,0001~0,08 mm/s | ||
| Minimale Vorschubstufe: 0,1 μm | ||
| 5 | Halteverfahren | Poröser Vakuumspanntisch |
| 6 | Nach dem Schleifen TTV | 1,5 μm |
| 7 | Abweichung der Waferdicke nach dem Schleifen | ±3μm |
| 8 | Oberflächenrauheit nach dem Feinschleifen | Ra＜10 nm |
| 9 | Gesamtabmessungen | 1430 × 3300 × 1900 mm |
| 10 | Maschinengewicht | 5000 kg |
Hauptrahmen
| NEIN. | Artikel | Beschreibung |
| 1 | Rahmen | Unterrahmen: Geschweißte Stützkonstruktion aus 50×100 mm Vierkantrohr (Standard) |
| Oberrahmen: 30×60 Aluminiumprofil | ||
| 2 | Abdeckplatte | Kaltgewalztes Blech mit kunststoffbesprühter Oberfläche (Standard) |
| 3 | Strukturelle Bauteile | 45# Stahl mit Chrombeschichtung, Aluminiumlegierung mit anodischer Oxidation |
| 4 | Stromversorgung | 3-phasig, 380 V, 50 Hz |
| 5 | Luftzufuhr | ≥0,5 MPa, 400 l/min |
Produktdetails
Ausgestattet mit zwei 9,5-kW-Luftlagerspindeln und drei Spanntischen für extrem geringe Vibrationen. Die Maschine erzielt nach dem Schleifen eine TTV von ≤ 1,5 μm, eine Wafer-zu-Wafer-Dickenabweichung von ± 3 μm und eine Oberflächenrauheit Ra < 10 nm, wodurch die Absplitterungsrate von SiC-Substraten deutlich reduziert wird.
Es unterstützt die Bearbeitung von SiC-, LN-, LT- und Saphirsubstraten bis zu 8 Zoll und ist kompatibel mit Siliziumwafern, Keramik und LED-Substraten. Kundenspezifische Schleifprozessrezepte können im System gespeichert werden.
Die Z-Achse ermöglicht einen minimalen Vorschub von 0,1 μm für die ultradünne Siliziumwafer-Verdünnung. Sie gewährleistet eine stabile Dickenkontrolle bei harten, spröden Materialien wie SiC ohne Beschädigung tieferer Schichten.
Luftgelagerte Spindeln und Schleifscheiben sind Eigenentwicklungen. Wichtige Bauteile stammen von führenden Marken wie Tokyo Seimitsu, Mitsubishi, THK, SMC und Schneider. Standard-Ersatzteile sind für die einfache, tägliche Wartung vorrätig.
Die HY-WT9330 ist mit einer luftgelagerten Schleifspindel und zwei luftgelagerten Werkstückspindeln ausgestattet. Sie kann verschiedene ultraharte, spröde und schwer zu schleifende Substrate bis zu 12 Zoll bearbeiten und ermöglicht so ein hocheffizientes, beschädigungsfreies und hochpräzises Spiegelschleifen mit herausragender Dickengenauigkeit. Sie eignet sich für das Rückseiten-Dünnschleifen aller Arten von Chipwafern.
Die HY-WT9730 unterstützt Wafer bis zu 12 Zoll. Ausgestattet mit 3 luftgelagerten Schleifspindeln und 4 luftgelagerten Werkstückspindeln, integriert sie Schrupp-, Fein- und Polierprozesse. Der vollständig robotergestützte Workflow übernimmt automatisch Wafertransfer, -bearbeitung, -reinigung und -entnahme; lediglich die manuelle Kassettenzuführung ist erforderlich. Der hochpräzise Z-Achsen-Vorschub sorgt für überragende Wafer-Planheit und beschädigungsfreies Spiegelpolieren, während der robuste Rahmen eine stabile Serienproduktion gewährleistet.
Die HY-WT9230 wurde für die Bearbeitung extrem harter, spröder Halbleitermaterialien bis zu einer Größe von 12 Zoll entwickelt. Ausgestattet mit zwei luftgelagerten Spindeln und einer hochpräzisen Z-Schleifachse ermöglicht sie vollautomatisches Spiegeldünnen mit hoher Effizienz und beschädigungsfreier Bearbeitung. Dank des porösen Vakuumfutters und der ultrafeinen Vorschubsteuerung gewährleistet die Maschine eine hervorragende Planheit und gleichmäßige Schichtdicke beim Dünnen von Halbleiterwafern.
Die HY-IS1000 ist eine Zwei-Stationen-Laserschneid- und Schleifanlage für SiC-Ingots, die Lasermodifikation und Wafer-Delaminierung kombiniert. Sie nutzt einen Ultrakurzpulslaser zur Erzeugung interner Modifikationsschichten in SiC-Ingots für ein sägespurenfreies Wafer-Splitten und erzielt einen hohen Durchsatz mit einer TTV ≤ 1,1 μm. Sie ist eine unverzichtbare Anlage für die Massenproduktion von Halbleitersubstraten der dritten Generation.
HY-WC615 doppelseitige Wafer-Fasenmaschine ist ausgestattet mit CCD-Vision-Positionierungs- und Online-Dickenmessmodulen, selbstentwickelten mechanischen Kernkomponenten und einem vollautomatischen Be- und Entladesystem und bietet so eine hervorragende Bearbeitungsgenauigkeit und benutzerfreundliche Touch-Bedienung für die Wafer-Fasenbearbeitung.
Die HY-ST3005 eignet sich für die hochpräzise Rückseitenverdünnung von harten, spröden Halbleitersubstraten mit einem Durchmesser von 4 bis 12 Zoll. Die Anlage wurde iterativ verbessert, um höchste Genauigkeit und Langzeitstabilität zu gewährleisten. Sie verfügt über hochwertige Kernbaugruppen (hydrostatische Luftlager-Schleifspindel, hochpräzise Waferspindel, hochsteifer Drehtisch mit großem Durchmesser) und einen hohen Automatisierungsgrad für die Massenproduktion von Silizium- und Verbindungshalbleiterwafern.
Die HY-ST3002 verarbeitet 4- bis 12-Zoll-Wafer für das präzise Dünnen und Schleifen harter, spröder Halbleiter. Dank umfassender Modernisierung und ausgereifter Prozesse zeichnet sie sich durch erhöhte Genauigkeit und stabile Langzeitleistung aus. Dazu tragen die optimierte automatische Dünnarchitektur und hochwertige Schlüsselkomponenten bei: hydrostatische, luftgelagerte Schleifspindel, hydrostatische, luftgelagerte Wafer-Haltespindel und ein hochsteifer Drehtisch mit großem Durchmesser.
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